химический каталог




Технология полупроводникового кремния

Автор Э.С.Фалькевич, Э.О.Пульнер, И.Ф.Червоный, Л.Я.Шварцман и др.

ается содержание в кислороде водорода < 0,3-0,7 % и влаги 0,007-0,07%.

Технический кислород дополнительно очищают от примесей водорода, влаги, углеводородов, оксида и диоксида углерода.

348

при 400-600 К, глубокая осушка технического аргона (содержащего в виде примесей - 0,001 % Os, 5-12 % Na, 1,0-1,5 % HJ и сжатие его до 15,0-16,5 МПа.

3. Охлаждение, конденсация и повторная ректификация технического аргона при давлении 0,22 МПа в ректификационных колоннах с целью удаления азота и водорода и дальнейшее наполнение с помощью компрессора полученного чистого аргона через теплообменник в баллоны, железнодорожные, автомобильные цистерны, сосуды Дьюара. Требования (норма) к газообразному и жидкому аргону следующие (ГОСТ 10157- 88):

Объемная доля аргона (не менее), S 99,993/99,987

Объемная доля кислорода (ае более), % 0,0007/0,002

Объемная доля азота (не более), % 0,005/0,01 Массовая концентрация водяного пара при 293 К и давлении

101,3 кПа (не более), кг/м» 7 • lO'Vl • 10"»

Объемная доля суммы углеродсодержащнх соединений в пересчете на СО, (не более), % 0,0005/0,001

Примечание. В числителе — высшая категория качества (высший сорт), в знаменателе — первая категория (первый сорт).

Аргон, используемый в качестве среды для выращивания монокристаллов, дополнительно очищают от азота, кислорода, органических и других примесей ' . В установку для очистки аргона, как правило, входят каталитические, адсорбционные и геттерные блоки (рис. 162). В качестве геттеров применяют губчатый титан, цирконий, редкоземельные элементы. Процесс очистки проводят при 1023-1253 К; содержание азота в очищенном продукте « 0,4 ррт.

Установки для очистки аргона по соображениям экономического характера имеют большую производительность и, как следствие, достаточно большие размеры. Они обычно удалены от установок для выращивания монокристаллов. Аргон, получаемый на этих установках, все же имеет остаточные примеси, которые понижают электрофизические характеристики высокоомных кристаллов, поэтому перед входом аргона в камеру выращивания кристаллов устанавливают адсорбционные финишные патроны. В настоящее время методы тонкой очистки аргона совершенствуются.

Один из качественных сортов высокочистого аргона содержит:

Рис. 162. Блок-схема установки для очистки аргона:

линии 1 поступает через теплообменник 6 в очиститель 4 и сепаратор 5. Газообразная фракция, выводимая из сепаратора по линии Я, содержит гелия > 97-99 %, азота и других примесей 1-3 %. Жидкость из сепаратора дросселируется в отделитель жидкого азота для уменьшения потерь растворенного в нем гелия. Газообразная фракция возвращается из отделителя 7 в колонну, а жидкий азот соединяется с потоком азота, поступающего из циркуляционного азотного цикла, работающего под давлением до 4 МПа.

Получаемый гелий соответствует следующим параметрам (норма для марок по ТУ 51-940- 80):

А Б В Не (технический)

Объемная доля:

гелия (не менее),». 99,995 99,99 Неопреде- 99,8

ляетея

гелия и неона (неменее), % Не опреде- Не опреде- 99,99 Не определяется ляетея ляетея

водорода (не более),

% 0,0001 0,0025 0,0025 0,06

азота (не более), * 0,0005 0,004 0.004 0,12

кислорода и аргона

(не более), % 0,0001 Неопреде- Неопреде- Не определяется ляетея ляетея

352

кислорода (ие бо-

0,001 0,001 0,005

ляегся

аргона, (неболее),% Тоже 0,001 0,001 0,002

С02 + СО (не более),

% 0,0002 0,001 0,001 Не нормируется

углеводородов (не

более), % 0,0001 0,003 0,003 Тоже

неона (не более), % 0,004 0,009 0,04 " ?

водяных паров (не

0,002 0,002 0,004

водного раствора хлористого натрия (поваренной соли): 2NaCl + 2Н20 С12 + 2NaOH + Н2.

Применяют электролизеры двух типов: диафрагменные (с твердым катодом и пористой диафрагмой); ртутные (с жидким подвижным ртутным катодом без диафрагмы).

Процесс электролиза ведут при 363-368 К. Выделяющийся на аноде хлор отводят в хлорный коллектор, по которому он поступает на охлаждение. После охлаждения хлор поступает для осушки концентрированной серной кислотой в специальные кислотные башни. Далее хлор с помощью турбокомпрессора подают на сжижение в конденсатор, откуда он после газоотделения направляется в сборник-хранилище жидкого хлора.

Согласно ГОСТ 6718-68 хлор должен содержать > 99,8 % (объемн.) С12, остальное - примеси [в том числе, % (по массе): < 0,01 Н20, 0,002 NC13, нелетучего остатка 0,0015].

Наиболее чистые сорта хлора, используемые в электронике, содержат:

' Хлора (минимально), % 99,9

Микропримесей (не более), ppm V, в том числе:

лары воды 3

кислород 2

диоксид углерода 40

метав 10

азот 10

водород 10

2. КРИОГЕННАЯ ТЕХНИКА

Способы получения искусственного холода ' классифицируются по требуемой температуре охлаждения. Условно различают глубокое охлаждение (< 173 К) и умеренное (293-173 К).

Способы получения низких температур

Под охлаждением понимают искусственный отвод теплоты от тела с достижение

страница 101
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119

Скачать книгу "Технология полупроводникового кремния" (4.95Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
гранд лайн велюр
реле перепада давления s6021
металлические стеллажи на заказ
снять машину с водителем

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(28.06.2017)