химический каталог




Технология полупроводникового кремния

Автор Э.С.Фалькевич, Э.О.Пульнер, И.Ф.Червоный, Л.Я.Шварцман и др.

Э.С Фалькевич, Э.О. Пульнер, И.Ф. Червоный, Л.Я. Шварцман, В.Н. Яркий, И.В. Салли

Рецензент: проф. докт. хим. наук В.Б. Уфимцев УДК 537.311.33:669.782

Технология полупроводникового кремния /Фалькевич Э.С, Пульнер Э.О., Червоный И.Ф. и др. - М.: Металлургия, 1992. - 408 с.

Изложены физико-химические основы технологии полупроводникового кремния, рассмотрены свойства технологических материалов, влияние структурных несовершенств и термической обработки на электрофизические и физико-химические свойства кремния. Описаны процессы получения кремния и оборудование, в том числе вакуумное и криогенное. Рассмотрены способы получения кремния с заранее заданными свойствами, приведены области его применения. Значительное внимание уделено контролю качества продукции, технике безопасности в кремниевом производстве.

Для инженерно-технических работников и специалистов полупроводниковой промышленности. Может быть полезна студентам вузов, обучающимся по соответствующим специальностям. Ил. 184. Табл. 17. Библиогр. список: 298 назв.

Издание финансировано Запорожским титано-магниевым комбинатом

ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие 4

Глава I. Физико-химические основы получения полупроводникового кремния 6

1. Современные представления о строении веществ 6

2. Кинетические явления 29

3. Основы термодинамики 34

4. Механизм фазового перехода 43

5. Структура межфазной границы раздела 47

6. Рост кристаллов из жидкой и газовой фаз 51

Глава П. Свойства полупроводникового кремния и методы их контроля 93

1. Физико-химические свойства кремния 93

2. Параметры и методы их определения 96

Глава Ш. Методы получения чистого кремния, оборудование и технология промежуточных кремнийсодержащих соединений 130

1. Производство чистого кремния 130

2. Получение технического кремния 137

3. Получение силанов 146

4. Очистка соединений кремния методом ректификации 187

5. Контроль качества кремнийсодержащих соединений 210

Глава IV. Технология и оборудование для получения поликристаллических кремниевых стержней 213

1. Получение кремниевых стержней в процессе водородного восстановления хлорсиланов 213

2. Получение кремниевых стержней термическим разложением силана 242;

Глава V. Выращивание монокристаллов кремния из расплава 254

1. Метод Чохральского 254

2. Бестигельная зонная плавка 299

3. Чистота и микроклимат в производственных помещениях 335

Глава VI. Вспомогательные технологические газы и оборудование 337

1. Технологические газы 337

2. Криогенная техника 354

3. Холодильные машины 365

4. Вакуумное оборудование 371

5. Очистка воды 383

6. Материалы аппаратов 386

Глава VII Основные элементы техники безопасности 389

Библиографический список 399

ISBN 5-229-D0740-D

© Фалькевич Э.С, Пулънер Э.О., Червоный И.Ф., Шварцман Л.Я., Яркин В.Н., Салли И.В., издательство "Металлургия", 1992

ПРЕДИСЛОВИЕ

Одним из важнейших полупроводниковых материалов, используемых в настоящее время, является кремний. На основе кремния изготовляется 95 % всех видов полупроводниковых устройств, с помощью которых усиливают и регулируют электрические токи и напряжения, обрабатывают и хранят информацию, преобразуют солнечную энергию в электрическую и многое другое.

Широкое применение кремния объясняется достаточно большой шириной запрещенной зоны, уникальными особенностями травления, высокими механическими свойствами его оксида и практически неограниченными природными запасами последнего.

Кремний в полупроводниковых приборах применяется сравнительно давно. Еще в начале XX в. были описаны детекторы, работающие на основе точечных контактов кремний - металл и кремний - углерод. В первой половине 40-х годов изготовлены кремниевые диоды, в начале 50-х создан кремниевый транзистор, а в первой половине 60-х -интегральные схемы.

Увеличение потребления изделий электронной техники привело к росту выпуска кремниевых приборов и связанному с этим росту производства поли- и монокристаллического кремния.

Производственные мощности во всем мире (кроме СССР) по выпуску монокристаллического кремния достигли в 1990 г. уровня ~ 10 тыс. т. Следует отметить, что темпы роста выпуска полупроводникового кремния на протяжении всей истории его промышленного производства были высокими (за исключением небольших периодов в 1-2 года) и составляли ежегодно 20-30 %. По прогнозам, такой темп роста производства должен сохраниться до 2000 г.

Одновременно с возрастанием производства полупроводникового кремния растут требования к его чистоте, структурному совершенству монокристаллов и улучшению их однородности. Это приводит к необходимости расширять и углублять знания как свойств кристаллов кремния, так и технологических процессов его получения.

Несмотря на большое значение полупроводникового кремния, книги с достаточно полным описанием технологии его получения не издавались, за исключением книги Реньяна [1], которая во многом устарела, и в ней в основном изложены металлургические процессы технологии кремния. В работах [2- 8

страница 1
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119

Скачать книгу "Технология полупроводникового кремния" (4.95Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
свадебный букет с пионами
Рекомендуем компанию Ренесанс - деревянные лестницы на второй этаж с поворотом на 90 своими руками - качественно, оперативно, надежно!
кресло престиж с 11
Компьютерная фирма КНС Нева предлагает 5759-8132 - поставщик техники для дома и бизнеса в Санкт-Петербурге.

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(09.12.2016)