химический каталог




Энциклопедия полимеров. Том 3 (Полиоксадиазолы-Я)

Автор главный редактор В.А.КАБАНОВ

защиты изоляции пазовых и лобовых частей обмоток высоковольтных электрич. машин.

Э. л. п. эксплуатируются, как правило, при повышенных темп-рах. Ниже приведены значения допустимых рабочих темп-р, определяющих класс нагревостой-кости покрытия (об этих классах см. Полимеры в электротехнике), для различных пленкообразующих (в °С):

Лаковые покрытия Битумно-масляные, канифольно-масляные . . .105—120

Феноло-масляные и полиуретановые 130

Эпоксидные 130—155

Кремнийорганические 180—200

Эмалевые покрытия

Нитроглифталевые 105

Алкидные 130

Эпоксидные 105—155*

Полиакриловые и полиэфирные 120—155

Кремнийорганические 180—200

Э. л. п. наносят в 2—3 слоя на пропитанные в электроизоляционных лаках узлы и детали электрич. машин, аппаратов и др. изделий, а также непосредственно на изоляционные материалы или металлы. Нанесение осуществляют окунанием, кистью или краскораспылителем, в большинстве случаев без предварительной грунтовки. Для хорошей адгезии покрываемые поверхности должны быть тщательно очищены от грязи, жиров, влаги. С поверхности металла необходимо удалять окалину и ржавчину, для чего применяют обычные методы механич. очистки или травление (см. Лакокрасочные покрытия). Толщина Э. л. п. составляет обычно 50— 70 мкм.

Покрытия сушат большей частью в печах с паровым или электрич. обогревом. Режим сушки оказывает существенное влияние на электрич., механич. и влагозащитные свойства покрытия. Для улучшения качества покрытий часто применяют ступенчатую сушку; скорость подъема темп-ры выбирают таким образом, чтобы покрытие не имело пор и пузырей, было равномерным по толщине, без натеков. Увеличение темц-ры и продолжительности сушки (в пределах, допустимых для каждого вида Э. л. п.) способствует получению покрытия с более высокими электрич. и механич. свойствами. Для повышения твердости покрытий при лакировке электротехнич. стали последние сушат при 500—700°С. Лакировку осуществляют при помощи валков на специальных лакировальных машинах с огневым или электрич. обогревом.

Лит.: Справочник по электротехнич. материалам, под ред. Ю. В. Корицкого, В. В. Пасынкова, Б. М. Тареева,2 изд., т. 1, М., 1974; ФромбергМ. Б., Теплостойкие электроизоляционные покрытия. Труды ВЭИ, вып. 65, М.— Л., 1959; Черняк К. И., Неметаллические материалы в судовой электро- и радиотехнической аппаратуре. Справочник,2 изд., Л., 1970. М. Б. Фромберг.

ЭЛЕКТРОННОМИКРОСКОПИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ полимеров (electron-microscopic investigation, elektronenmikroskopische Untersuchung, recherche au microscope electronique). Применение электронных микроскопов позволяет обнаруживать элементы структуры в кристаллич. и аморфных полимерах, фиксировать структурные изменения под влиянием темп-ры, механич. воздействий, излучений и др. внешних факторов, выявлять составные компоненты в композиционных системах и т. д.

Устройство электронных микроскопов. Большинство Э. и. выполняется с применением просвечивающих электронных микроскопов, в к-рых объект пронизывается электронами. Законы, по к-рым возникает изображение в электронном микроскопе, совпадают с законами световой оптики. Роль линз выполняют неоднородные электромагнитные поля, обладающие вращательной симметрией. Каждую электромагнитную линзу можно охарактеризовать фокусным расстоянием и главной плоскостью, как это принято в обычной геометрич. оптике.

Электронный микроскоп состоит из осветительной системы, камеры объекта и системы электромагнитных линз (рисунок). В осветительной системе, включающей источник электронов (электронную пушку) и конден-сорные линзы, создается и формируется пучок электронов необходимой интенсивности и апертуры. Для ускорения электронов применяют высокое напряжение, величина к-рого в зависимости от типа прибора может варьировать от нескольких кв (низковольтная микроскопия) до 1 Мв (высоковольтная микроскопия). Наиболь- ' шее применение находят микроскопы с ускоряющим напряжением до 100 кв. Прошедшие через исследуемый препарат электроны попадают в поля объективной, промежуточной и проекционной линз, создающих увеличенное изображение либо на флуоресцентном экране (для визуального наблюдения), либо на фотопластинке.

Так как в воздухе длина свободного пробега электронов очень мала и нагретая вольфрамовая нить (источник электронов) быстро окисляется, колонна, в к-рую заключены основные системы микроскопа, откачивается до высокой степени разрежения (0,013—0,0013 н/м2, или Ю-4—Ю-5 мм рт. ст.). Поэтому Э. и. могут подвергаться лишь объекты, медленно испаряющиеся в вакууме (гл. обр. твердые вещества). Однако в высоковольтной микроскопии начинают находить применение газовые камеры, в принципе позволяющие исследовать р-ры и суспензии полимеров.

Просвечивающие электронные микроскопы позволяют одновременно с одного и того же участка образца диамета б

Ход лучей в электронном микроскопе (а — в режиме наблюдения микроструктуры объекта, б — в режиме микродифракции); 1 — источник электронов; 2,4, 7 и 9 — соответственно конденсорная, объективная, промежуточная и проекционная линзы; з — объект; 5 — селекторная диафрагма; 6 и 8 — соответственно первое и второе промежуточные изображения; 10 — изображение объекта; 11 — дифракционная картина.

ром от 0,02 до 1 мкм получать как электронномикроско-пич. снимок, так и картину электронной дифракции (электроннодифрактограмму) в области больших и малых углов (см. рис., б), изменяя величины токов в электромагнитных линзах и удалив диафрагмы, ограничивающие конус лучей. Гониометрич. столик, прилагаемый к микроскопам, позволяет изменять положение образца относительно пучка электронов в горизонтальной и вертикальной плоскостях. Совместные электронномикроскопич. и электронографич. исследования дают возможность не только изучать геометрич. характеристики надмолекулярных образований, но и делать важные выводы об упаковке полимерных молекул в этих структурах.

В отличие от просвечивающих, в осветительной системе растровых (сканирующих) электронных микроскопов формируется узкий сходящийся пучок электронов, диаметр поперечного сечения к-рого в точке падения на исследуемый препарат составляет несколько десятков А. С помощью специальных отклоняющих систем пучок можно заставить сканировать по поверхности образца подобно тому, как это осуществляется в телевизионной трубке. В растровом микроскопе диэлектрич. материалы непосредственно исследоваться не могут, т. к. при падении пучка электронов на их поверхности накапливается электрич. заряд, препятствующий получению изображения. Поэтому на такие материалы напыляют в вакууме тонкий проводящий слой, чаще всего золота. При взаимодействии пучка электронов с материалом объекта или напыленным слоем возникает несколько типов излучений: вторичные электроны, рентгеновские лучи, катодолюминесценция и др. Интенсивность их в каком-либо направлении зависит как от формы поверхности, так и от состава данного участка образца. Если в непосредственной близости от объекта поместить неподвижный детектор одного из этих излучений, сигнал на выходе детектора будет пропорционален, напр., глубине рельефа изучаемой поверхности. После усиления этот сигнал подается на модулирующий электрод электроннолучевой трубки, изображение с к-рой м.б. сфотографировано.

Важнейшие характеристики электронных, как и обычных, микроскопов — увеличение и разрешающая способность (или связанное с последней величиной разрешение, т. е. наименьшее расстояние, на к-ром еще м. б. различимы две точки объекта). Увеличение, зависящее от соотношения токов в электромагнитных линзах, может изменяться в широком диапазоне — от х 100—500 до Х500 000.

Теоретич. предельное разрешение электронных микроскопов составляет примерно 0,2 нм (2 А). Основные ограничения в эту величину вносят дифракция, обусловленная конечной длиной дебройлевской волны электронов [при ускоряющем напряжении 100 кв эта величина равна 0,004 нм (0,04 А)], и сферич. аберрация электромагнитных линз. Разрешение лучших серийных микроскопов практически достигло теоретич. предела, что в принципе позволяет детально изучать тонкую структуру полимерных объектов. Однако разрешение, к-рое м. б. достигнуто при исследовании реальных объектов, отличается от разрешения самого прибора из-за несовершенства препаративных методов и радиационных повреждений и составляет 1,5—2,0 нм (15—20 А). Разрешение при использовании растровых микроскопов гораздо меньше: 3—5 нм (30—50 А).

Особенности электронномикроскогшческого исследования полимеров. Э. и. относят к т. наз. прямым методам исследования структуры объектов. Считается, что на экране (фотопластинке) регистрируется увеличенное изображение объекта, не претерпевшего никаких изменений в процессе съемки. Однако для полимеров это выполняется далеко не всегда. Пучок электронов может вызвать разрушение кристаллич. областей настолько быстро, что электроннодифракционная картина исчезает за несколько секунд при интенсивностях пучка, необходимых для получения снимка. Кроме того, электронный пучок вызывает значительный разогрев образца — на десятки градусов. Указанные причины могут приводить к появлению на снимках деталей, обусловленных, например, сморщиванием объекта; эти детали ошибочно могут быть приняты за структурные образования.

Вследствие сильного поглощения электронов исследуемым веществом просвечивающее Э. и. применимо для объектов, имеющих незначительную толщину — для полимерных материалов всего несколько десятков нм (несколько сот А). Это обстоятельство обусловливает необходимость специального препарирования полимеров. К прямым методам препарирования относят получение тонких пленок, измельчение, в том числе суспендирование, и ультрамикротомирование. Косвенными наз. методы исследования поверхностей массивных блоков полимеров с помощью реплик. Нередко прямые и косвенные методы препарирования применяют параллельно, что позволяет исключить искажения, вносимые тем или иным методом.

Один из широко распространенных приемов црепа-рирования — изготовление очень тонких, толщиной 20—30 нм (200—300 А), пленок из разб. р-ров полимеров. Этим методом можно и

страница 271
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228 229 230 231 232 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261 262 263 264 265 266 267 268 269 270 271 272 273 274 275 276 277 278 279 280 281 282 283 284 285 286 287 288 289 290 291 292 293 294 295 296 297 298 299 300 301 302 303 304 305 306 307 308 309 310 311 312 313 314 315 316 317 318 319 320 321 322 323 324 325 326 327 328 329 330 331 332 333 334 335 336 337 338 339 340

Скачать книгу "Энциклопедия полимеров. Том 3 (Полиоксадиазолы-Я)" (21.36Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
ноутбуки напрокат в москве
Рекомендуем компанию Ренесанс - лестницы - продажа, доставка, монтаж.
кресло 992
Компьютерная техника в КНС Нева - самый дешевый телефон купить - поставщик техники для дома и бизнеса в Санкт-Петербурге.

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(11.12.2016)