химический каталог




Поверхностные силы

Автор Б.В.Дерягин, Н.В.Чураев, В.М.Муллер

черкнем, что асимптотическая формула (VI. 104) дает возможность рассчитать расклинивающее давление и, следовательно, энергию взаимодействия во всех случаях, когда известна или может быть получена асимптотика потенциала одиночного слоя. Это могут быть, в частности, и смеси симметричного и несимметричного электролитов, не содержащие трехвалентных ионов и ионов еще более высокой Валентности. Вопрос о точности получаемых таким способом формул каждый раз должен решаться особо, путем сравнения с точными численными результатами, но, во всяком случае, они должны хорошо работать при vh 3.

§ 9. Влияние дискретности поверхностных зарядов

Все предыдущее изложение, так же как и подавляющее большинство известных работ, посвященных расчетам электростатического взаимодействия двух заряженных поверхностей раздела, основано на предположении, что отдельные заряды равномерно размазаны по поверхностям со средней плотностью о. Это предположение, несомненно, оправдано, когда расстояние h между взаимодействующими поверхностями существенно превосходит среднее расстояние I между двумя соседними зарядами на каждой из этих поверхностей. Если же h оказывается одного порядка или меньше, чем Z, то требуется иной подход, основанный на рассмотрении взаимодействия между отдельными зарядами. Но так как в конечном счете речь идет о макроповерхностях, каждая из которых несет на себе множество зарядов, возникает необходимость в суммировании и соответствующем усреднении отдельных парных взаимодействий. Очевидно, что результат усреднения должен зависеть прежде всего от парной корреляции между положениями зарядов на одной поверхности и на другой. Этот результат, вообще говоря, может оказаться заметно отличающимся от того, который получается при равномерном размазывании зарядов по поверхностям.

Известны два возможных источника корреляций. Первый из них порождается заданным расположением зарядов, например когда обе заряженные поверхности получены расщеплением (без поворотов) по плоскости спайности единого кристалла. То, что при этом поверхности чаще всего оказываются заряженными, было, в частности, подтверждено открытием эмиссии быстрых (до 200 кэВ) электронов при разрушении кристаллов (например, кварца, гипса или слюды) в вакууме [40]. Достаточно, однако, изменить после расщепления ориентацию осей одной половины кристалла относительно осей другой половины путем смещения и поворота, чтобы конфигурационная корреляция исчезла. Самопроизвольно она может возникнуть, если при медленном сближении одинаковых мелких кристаллов, взвешенных в жидкой дисперсионной среде, их оси примут параллельную ориентацию под влиянием вращательного момента ван-дер-ваальсовых сил [41].

Другим примером систем такого рода является взаимодействие элементарных сетчатых плоскостей монтмориллонита при его набухании в водных средах. Влияние конфигурационной корреляции зарядов на силы взаимодействия «кристаллических» поверхностей («паркетов») для разных типов решеток было рассмотрено в ряде работ, как для простой диэлектрической прослойки [42], так и для слоя электролита [43, 44]. Кроме того, в работах [45—48] было рассчитано взаимодействие заряженных поверхностей, потенциал или плотность заряда которых периодически плавным образом изменялись вдоль одного или двух направлений.

Во всех рассмотренных случаях изучение влияния конфигурационной корреляции приводило к заключению, что на очень малых расстояниях, порядка длины корреляции, интенсивность взаимодействия должна существенно отличаться от тойЛ которая следует из концепции размазанного заряда. В растворах электролитов результат расчета оказывается, кроме того, зависящим и от соотношения между дебаевской длиной и периодом двумерной поверхностной решетки ионов. Очевидными слабыми местами этой модели являются предположения о строго периодическом расположении ионов на поверхностях и о том, что при сближении не происходит ни поворотов, ни смещений двумерных решеток относительно друг друга.

Второй источник парное корреляции зарядов связан с са

страница 99
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228

Скачать книгу "Поверхностные силы" (3.52Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
жесткий тейп купить на таганке
фонд помощи больным детям москва
надувные батуты детские
анализы на наркотики- где?

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(23.09.2017)