химический каталог




Поверхностные силы

Автор Б.В.Дерягин, Н.В.Чураев, В.М.Муллер

0, сохраняется и возрастает, так как напряженность поля у каждой поверхности монотонно растет (рис. VI. 16). Для очень малых толщин прослойки оно, очевидно описывается той же асимптотической формулой (VI .86), что и для

ЧУР, > 0.

Механизм образования заряда поверхностей может оказаться таков, что в процессе их сближения неизменными останутся не потенциалы, а плотности зарядов ог и а2. Формула (VI.83) годится и в этом случае, однако, для того чтобы ею воспользоваться, надо учесть, как изменяются сами потенциалы поверхностей 1?1 и W2 при утонь-шении прослойки в соответствии с условиями электронейтральности:

Oi

8 \ —. ЕИ ГР* cnnvt

—, j ? —, I loo bUHhl,

~ ~r— xF.2oo = const,

e d4

4ji dx

4Д dx x=o 4Я gpv

ex

где 4m = 1Ґ1 (СЮ), W2O0 — 4?2 (оо) — исходные потенциалы уединенных поверхностей. Подстановка распределения Y (х) (VI.80) в уравнения (VI.89) позволяет сначала найти обе функции Чг1 (h) и ?2 (h)

Т = LOO -Г 20. Ху = 1<х> "Г 2оо (VI.90)

а затем с их помощью получить формулу для расклинивающего давления при о* = const

или иначе, согласно (VI.89)

P = JL eh + + AJ

Из (VI.90) следует, что на относительно больших расстояниях практически нет разницы между 1?1 и ?1М и между 4?2 и 2°°- При этом формула (VI.91) переходит в (VI.84) или эквивалентную ей

П° = — (no2e-"h (VI.93)

независимо от того, каковы энаки зарядов поверхностей. Но в зависимости от знака произведения GyGz это будет отталкивание илч* притяжение.

Для одноименно заряженных поверхностей зависимость Па (&), очевидно, монотонна, так как числители и знаменатели дробей в (VI.91) или (VI.92) положительны (рис. VI. 17, кривая 1). При —»- 0 отталкивание растет как

Таков же характер этой зависимости при х/г 0 и для ОуО% < О (если только не окажется случайно, что ах = —а2). Но так как в случае 00*2 < 0 на больших расстояниях давление П0 < 0, то для постоянных зарядов зависимость с экстремумом наблюдается уже для разноименно заряженных поверхностей (рис. VI. 17, кривая 2). Координаты минимума П° (h), определяемые из уравнения dHa/dh = = О, равны

Пщт = о-Х(Т2, nhmin = Arch ( — = Arch — ijr >

(VI.95)

а смена притяжения на отталкивание происходит на расстоянии

xh0 = In (— as/ai) = In (— Ч/Т1). (VI.96)

Изменение знака взаимодействия при сближении объясняется в этом случае теми же причинами, что и в рассмотренном выше. Но в отличие от того случая здесь уже постоянство заряда стенки приводит к постоянству напряженности поля у поверхности (рис. VI.18) и, следовательно, максвелловского тензора натяжений, а изменение при сближении претерпевает только гидростатическое давление у поверхности вследствие изменения ее потенциала согласно уравнениям (VI. 90).

Меньший из двух потенциалов сначала убывает по абсолютной величине (кривая 1), затем обращается в нуль (кривая 2); при этом гидростатическое давление у левой стенки (см. рис. VI. 10) понижается и становится равным своему объемному значению, а сила притяжения достигает максимума и, наконец, изменив знак в соответствии с уравнениями (VI.90), потенциал ХР1 резко возрастает ~i/h (см. рис. VI.18, кривая 3), увеличивая тем самым отталкивание вследствие повышения гидростатического давления. При охо2 > > 0 изменения знака потенциала не происходит (рис. VI. 19).

Соответствующие формулы для энергии взаимодействия двух неодинаковых плоских диффузных слоев получаются интегрированием формул для расклинивающего давления. Они имеют довольно простой вид:

г ow Ч/ 1

V" = "SH" [ s" + + n.)(cthx* - 1)J . (VI.98)

Рис. VI. 17. Зависимость Пе (h) при а для неодинаковых зарядов

1 — 0102 > 0; 2 — охаа < 0

const

imn

Графики зависимостей этих функций от расстояния при > О

и ҐҐ2 < 0 имеют те оде особенности, что и соответствующие графики Пе (h), но при прочих равных условиях (потенциалах или зарядах и концентрациях) абсциссы экстремумов функций и их нули смещаются в сторону меньших расстояний. При больших толщинах разл

страница 97
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228

Скачать книгу "Поверхностные силы" (3.52Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
подвесные пассивные колонки для домашнего кинотеатра
http://taxiru.ru/shashki-dlya-taxi-all/shashki-do-45-sm/retro/
купить мебельные ручки для кухни
убрать вмятину на багажнике

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(26.09.2017)