химический каталог




Поверхностные силы

Автор Б.В.Дерягин, Н.В.Чураев, В.М.Муллер

ялись радикально. (Все использованные жидкости имели примерно одинаковые физические свойства.) Это обстоятельство можно объяснить тем, что именно при хп — 1,1 или 0,7 незначительное изменение параметров системы существенно изменяет характер устойчивости пленок.

X

1

2\

1

D

Ir

m

Рис. V.5. Зависимость % — e1ea — (e®/4) от параметра xm определяющего граничные условия для волновых функций электронов на поверхности пленки

Рис. V.6. Сумма П( молекулярной и электронной составляющих расклинивающего давления для пленой ртути при хп= 4,2 (кривая 1) ш 1,15 (кривая 2)

Изменения хл можно добиться путем адсорбции различных веществ поверхностью пленки, окруженной заданной внешней средой. Обычно адсорбция приводит к уменьшению хп, т. е. она может способствовать переходу пленки от устойчивого состояния к неустойчивому (при хп = 1,1) и наоборот (при хп = 0,7). В свою очередь, из устойчивости пленки (или ее неустойчивости) можно судить о величине адсорбции тех или иных примесей на поверхности жидкой металлической пленки.

На рис. V.6 представлены зависимости от расстояния Н суммы молекулярной составляющей расклинивающего давления для ртути и монотонной части П (Н) полученной в данной работе электронной составляющей расклинивающего давления при хп = 1,2 и 1,15. Видно, что на больших расстояниях силы отталкивания преобладают над силами притяжения, т. е. существует положительный силовой барьер, препятствующий утончению пленки. Высота барьера, однако, резко понижается по мере приближения хп к точке, соответствующей переходу от устойчивых к неустойчивым состояниям.

Значения хп ниже для тех жидкостей, работа выхода электронов в которые из пленки металла меньше. При более низкой работе выхода электронам легче проникать в окружающую среду, что делает более пологим ход волновой функции вблизи поверхности раздела фаз и соответственно уменьшает значение хп. Отметим, что абсолютно устойчивые состояния пленок в работе [34] были получены (путем расчета) именно для случая, когда электроны не могут выходить за пределы пленки (модель бесконечно глубокой потенциальной ямы). Исследование устойчивости пленок может служить важным инструментом в определении работы выхода электронов из жидкого металла в окружающую среду, так как малые изменения (до 10%) значений работы выхода существенно меняют устойчивость пленок.

При малых толщинах пленки, сопоставимых с длиной свободного пробега электронов (для ртути длина свободного пробега электронов ~ 30 А), амплитудные значения осциллирующей части электронной составляющей расклинивающего давления (рис. V.7) превышают величины сил молекулярного притяжения и монотонной части электронной составляющей расклинивающего давления. По этой причине осциллирующая часть в (V.61) обеспечивает возникновение ряда положительных барьеров на изотерме П (#), которая при толщинах ~50 А практически совпадает с осциллирующей частью электронной составляющей расклинивающего Давления. Влияние внешней среды при этом определяется значением параметра е, характеризующего вероятность неупругого рассеяния электронов поверхностью пленки.

Несмотря на наличие указанных положительных силовых барьеров, в этой области расстояний нельзя говорить об устойчивом состоянии пленок. Дело в том, что здесь (см. рис. V.7) силы отталкивания при малых изменениях толщин пленки (~10~8 см) переходят в силы притяжения, т. е. ширина силового барьера является чрезвычайно малой. По этой причине облегчен прорыв пленок за счет термической активации. Прорыв пленки по этому механизму протекает с некоторым характерным временем, определяемым высотой и шириной барьера, зависящими от свойств поверхности пленки. Установить, какой из указанных выше барьеров определяет время жизни пленки, можно лишь после измерения толщины последней.

§ 4. Экспериментальное исследование электронной составляющей расклинивающего давления ртутных пленок

Представляло интерес экспериментально проверить возможность образования и существования металлической пленки и установить степень ее

страница 82
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228

Скачать книгу "Поверхностные силы" (3.52Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
концерт моисеева в сентябре 2017
Asus Z10PE-D16 WS купить
вильясте лариса лембитовна
дачи по новорижскому шоссе

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(26.09.2017)