химический каталог




Поверхностные силы

Автор Б.В.Дерягин, Н.В.Чураев, В.М.Муллер

ко к уменьшению сил притяжения пластин (кривая ?), а затем, при Сос— 0,25 (кривая — к инверсии знака'П. На малых расстояниях между пластинами появляются силы отталкивания, обусловленные взаимодействием диффузных адсорбционных слоев растворенного вещества при их перекрытии. При h = 14 А (или h — 26 = 4 А) П = 0, что означает, в частности, возможность фиксации пластин на этом расстоянии при положительной адсорбции растворенного вещества Г > 0.

А2 —

= 10~37 эрг-см3

Изотерма П (h)

Еще более резко выражено стабилизирующее действие адсорбционной составляющей в случае одинаковых пластин диэлектрика,

когда А212 = 10~14 эрг,

пересекает ось абсцисс (см. рис. V.2, б) уже при ?«, = 0,05 в точке, где h ~ 45 А. При еще более высокой концентрации (CM > 0,1) вся изотерма П (h) лежит в области положительных значений расклинивающего давления прослойки. Это объясняется значительно меньшими силами дисперсионного притяжения пластин диэлектрика по сравнению с металлическими пластинами. Следовательно, для коллоидных частиц диэлектриков стабилизирующая роль адсорбционной составляющей становится более заметной. Отрицательная адсорбция растворенного вещества (Г <С 0) на частицах (пластинах) должна вести к ускорению коагуляции, так как силы притяжения могут при этом только увеличиваться.

На рис. V.3 и V.4 приводятся изотермы расклинивающего давления смачивающих пленок на твердых подложках. На рис. V.3 построены изотермы для частного случая, когда диэлектрические функции г (?|) подложки и растворителя совпадают. При этом

условии А213 = 0 и Пт0 = 0, т. е. пленки чистого растворителя неустойчивы. Проследим за влиянием на изотермы П (h) адсорбции растворенного вещества на поверхности пленки, граничащей с газом. Так как в рассматриваемом случае е2 = elt то А2 — 0, следовательно, адсорбции за счет дисперсионных сил на твердой подложке происходить не может. Оценки приводят к значениям А3 ~ 10~36 эрг-см3. Поскольку (1 — &i) 0) имеет место только при &х > es (в существенной для взаимодействия области частот), т. е. при условии, что растворитель менее полярен, чем растворенное вещество. Как видно из рис. V.3, а, положительная адсорбция растворенного вещества на границе с газом ведет к, образованию пленок, устойчивых за счет адсорбционной составляющей. При А3<С0 устойчивых пленок не образуется (см. рис. V.3, 6).

На рис. V.4 приводятся результаты расчетов для смачивающих пленок, когда растворитель образует устойчивые пленки на подложке. Для этого должно быть А213 <С 0, что возможно лишь при е2 > вц. Для пленок неполярных жидкостей на подложке из диэлектрика можно принять Л213 = — 10~18 эрг. Из уравнения (V.15) следует, что при e2>ei и е3 = 1 константы А2 и А3 имеют разные знаки, т. е. растворенное вещество адсорбируется вблизи одной из поверхностей пленки положительно, а вблизи другой — отрицательно. Если диэлектрические проницаемости подложки и жидкости отличаются мало, что обычно имеет место для диэлектриков, то | 1 — ех | | е2 — бх | и константа А3 больше* константы А2. В расчетах было принято | А2 \ = 10~37 зрг-см и ] А3\ = Ю-36 эрг-см3. Поскольку при | А3 | > | А2 \ адсорбция (как положительная, так и отрицательная) на поверхности раздела пленки с газом выше, чем на подложке, ее роль является определяющей в устойчивости смачивающих пленок. Ее-тественно, зто относится лишь к рассматриваемому случаю ад сор б* ции за счет одних только дисперсионных сил.

Как видно из графиков на рис. V.4, устойчивость пленок повышается, если растворенное вещество положительно адсорбируется на поверхности жидкость—газ (см. рис.V.4, б). Отрицательная адсорбция на свободной поверхности пленки (см. рис. V.4, а) приводит при малой концентрации Сж к уменьшению положительных, значений П, а при большой — к перемене знака П. Так, при =0,1 могут быть устойчивы за счет дисперсионных сил лишь пленки раствора толщиной более 30 А. При h = 30 А изотерма П (h) пересекает ось абсцисс и при h <С 30 А уходит в область отрицательных значений П,

страница 76
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228

Скачать книгу "Поверхностные силы" (3.52Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
купить угловой компьютерный стол в интернет магазине недорого в москве
купить компьютер игровой в кредит
double fish в кемерово купить
билеты в театр маяковского

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(20.08.2017)