химический каталог




Поверхностные силы

Автор Б.В.Дерягин, Н.В.Чураев, В.М.Муллер

~12 эрг.

Все полученные значения констант намного превышают теоретические, что авторы работы [89] связывают, как и авторы работы [86], с деформацией выпуклой поверхности слюды в зоне контакта, приводившей к увеличению локального значения радиуса кривизны поверхности R0. Авторы не исключают возможность пластической или вязкоупругой деформации прослойки клея, удерживающего пластинку слюды на стеклянном цилиндре. В этой связи предпочтительнее выглядят эксперименты,в которых используются сплошные твердые тела с достаточно гладкой, например оплавленной, поверхностью.

В отделе поверхностных явлений ИФХ АН СССР была разработана другая методика прямого измерения молекулярных сил [90—94], , основанная на идее моделирования контакта коллоидных частиц с помощью тонких (диаметром 1—2 мм) скрещенных нитей [83, 22]. Схема установки показана на рис. IV.18. Подвижная нить 1 крепится к рамке 2 зеркального гальванометра, а вторая нить 3 закрепляется неподвижно. Гальванометр включают в фотокомпенсационную схему, охваченную отрицательной обратной связью. Эта схема состоит из зеркальца 4, скрепленного с рамкой гальванометра, на которое падает луч от источника света 5. Отраженный луч попадает на два фотосопротивления Lt и L2, входящие в мостовую схему. При повороте зеркальца, происходящем при повороте рамки 2 с подвижной нитью 7, фотосопротивления освещаются по-разному, что меняет величины/ и L2. Два магазина сопротивлений in R2 позволяют регулировать положение зеркальца и подвижной нити. При таком подборе R1 и #2, когда ток в мостовой схеме равен нулю, рамка 2 покоится. Любое случайное отклонение рамки приведет к ее возврату в положение равновесия, так как возникающий в рамке при ее отклонении ток, взаимодействуя с магнитным полем, всегда будет поворачивать ее в сторону, противоположную отклонению.

Состояние покоя рамки может быть нарушено изменением одного (или обоих) сопротивлений R± и Л2. Это приведет к смещению рамки в новое положение, когда установится такое соотношение фотосопротивлений Lx и L2, что ток в мостовой схеме снова станет равен нулю. Таким образом, изменяя Яг и R2, можно дозированно менять устойчивое положение образца 1 в пространстве. После соответствующей градуировки установки можно задавать определенные расстояния Н между нитями, например, отсчитывая их от положения контакта нитей, когда Н = 0.

Если сблизить скрещенные нити 1 и 3 на расстояние Я, когда проявляются силы молекулярного притяжения, образец 7, слегка сместившись, перейдет в новое состояние равновесия, отличающееся тем, что в этом состоянии через рамку будет течь ток 1и сила которого пропорциональна силе молекулярного притяжения сближенных нитей. Ток разбаланса моста, прошедший через усилитель 6, измеряется микроамперметром Ах. Для точного измерения нового расстояния между нитями следует, однако, сбалансировать мост, что достигается пропусканием через рамку и через мост тока обратного направления от регулируемого источника питания Е2. Тогда по величине сопротивлений Ях и R2 при It = 0 определяют расстояние между нитями Н, а по силе компенсирующего тока /2* регистрируемой микроамперметром А2, измеряют величину силы F. Перевод показаний Л 2 в величину силы F осуществляют по градуировочной характеристике прибора. Для уменьшения влияния вибрации прибор помещен на массивной тумбе, установленной на пружинах в бетонированной яме в грунте, независимо от фундамента здания.

Преимуществом метода является то, что он позволяет работать не только с прозрачными, но и с непрозрачными телами (металлами, в частности), а также с тонкими нитями и шариками.

Измерения проводились со свежетянутыми стеклянными и кварцевыми нитями радиусами R0 около 0,5 мм, а также с электролитически полированными нитями из золота и платины радиусами от 0,15 до 0,5 мм. На рис. IV.19 показаны результаты измерений сил F (Н) молекулярного притяжения скрещенных нитей в воздухе, которые пересчитывались по уравнению Дерягина [11 ] в значения удельной энергии молекулярного притяжения плоских поверхн

страница 61
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228

Скачать книгу "Поверхностные силы" (3.52Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
refit в новосибирске
Стойка AS PL3302BB
купить новогоднюю елку в крокусе
купить обеденную группу на кухню недорого от производителя

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(05.12.2016)