химический каталог




Поверхностные силы

Автор Б.В.Дерягин, Н.В.Чураев, В.М.Муллер

одложка более полярна, чем жидкость в пленке, т. е. при ех > е3.

Микроскопическая теория молекулярных сил пользуется в случае взаимодействия трех конденсированных тел 1, 2 и 3 так называемым правилом сложения, введенным Гамакером [14]:

132 = -4 is + зз — 32 — А19, (IV.27)

где AIK — вакуумная константа Гамакера для тел г и к, взаимодействующих через прослойку вакуума. При этом принималось, что константа взаимодействия разных тел равна среднему геометрическому из констант для одинаковых тел [27]:

AK = Y~A. (IV-28>

Если расчеты по уравнениям (IV.3)—(IV.10) микроскопической теории для тел, взаимодействующих в вакууме, дают лишь количественно неверные результаты, то в случае взаимодействия через жидкие прослойки результаты могут оказаться уже качественно неверными: может появиться отличие в знаке сил. Как было показано в работах 128, 29], выражения (IV.27), (IV.28) применимы лишь в ограниченном ряде случаев, так как они не учитывают изменения поля дисперсионных сил при взаимодействии через поглощающие прослойки. Основой для точного расчета молекулярных сил в теории поверхностных явлений могут быть только уравнения (IV.22)—(IV.25), включающие в себя как частный случай уравнения (IV.12), (IV.14) — (IV. 16) взаимодействия через вакуумные прослойки.

В коллоидной химии обычно пользуются приближением (IV.24), полагая, что самые существенные для взаимодействия частиц события разыгрываются в области достаточно малых расстояний между ними. Однако влияние электромагниного запаздывания проявляется уже в области расстояний начиная с 30—50 А [30, 31], что заставляет искать более простые, чем (IV.22) и (IV.23), и более удобные для практического применения аналитические выражения для переходной области расстояний, когда уже начинает проявляться влияние электромагнитного запаздывания.

Для систем, состоящих из диэлектриков, в уравнении (IV.23) можно принять s ас р. Учитывая далее, что первый член в квадратных скобках в существенной для взаимодействия области частот всегда больше 1, получим [32]

д<*)=-«И I('/2l::+1] **.«--4!g-.

о

где х = 2\Н Ys3fc; Aik = (e* — eft)/(eЈ -f ek) и функция A (H) отражает зависимость «константы Гамакера» от толщины прослойки Н, связанную с проявлением электромагнитного запаздывания.

Второе интегрирование этого уравнения легко осуществляется графически, если известны зависимости е (?, 5). При Н ->? 0 уравнение (IV.29) переходит в асимптотику (IV.24), при Н ->? оо — в асимптотику (IV.25). Расчеты показали [31], что приближенное уравнение (IV.29), например, для такой системы как вода—вакуум— вода (рис. IV.9, кривые 1 и 2) дает результаты, практически совпадающие с численными расчетами на ЭВМ по точному уравнению теории (IV.22).

Расчеты молекулярных сил, действующих на больших расстояниях между телами, требуют знания только статических значений диэлектрической проницаемости е0 или п2 (см. § 4). Для расчета молекулярных сил при меньших, чем 0,1 мкм, толщинах прослойки необходимы полные сведения о всей частотной зависимости диэлектрической проницаемости для всех взаимодействующих тел. Долгое время использование уравнений макроскопической теории молекулярных сил было затруднено как раз в связи с недостаточной изученностью спектров поглощения е* (со) в большом интервале частот — от микроволновых до рентгеновских.

Началу широкого применения уравнений макроскопической теории способствовали работы Крупна [33], Парседжиан и Нинхзма [34, 35], предложивших ряд упрощенных методов расчета функций е (tЈ). В этих работах было показано, что для получения вполне надежных результатов можно ограничиться учетом нескольких, основных полос в спектрах поглощения. В первом приближении достаточно учесть дипольную релаксацию, отвечающую области частот соа ~ 1011 ч- 1010 рад/с, резонансное поглощение в инфракрасной (Щ ~ 1013 -г- 10й рад/с) и ближней ультрафиолетовой (о)с ~ -~ 1016 рад/с) частях спектра [34, 35]:

1 + тКг+W + TW' (IV-30)

Здесь е0—статическая диэлектрическая проницаемость (при ш —0); еа отвеча

страница 48
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228

Скачать книгу "Поверхностные силы" (3.52Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
курсы шитье сумок москва
вешалка настенная с полкой
двигатель для вентиляции купить
ручки для мебели на кухни

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(09.12.2016)