химический каталог




Поверхностные силы

Автор Б.В.Дерягин, Н.В.Чураев, В.М.Муллер

жение, однако, меняется, если при утончении прослойки в результате перекрытия поверхностных зон уже не остается частей, обладающих свойствами исходной фазы. Здесь давление будет анизотропным во всех частях тонкой прослойки и ее натяжение а0 ФФ 2а. При этом давление в тонкой прослойке делается отличным от давления в фазе, частью которой она является, на величину расклинивающего давления П. Таким образом, при утончении жидкой прослойки исчезновение ее изотропной части и появление расклинивающего давления всегда происходят одновременно.

На рис. II.5 в качестве примера показано распределение Pn (Z) и Рт (z) в тонкой прослойке жидкости 3 толщиной h, граничащей с одинаковыми фазами 1 и 2 (жидкостью или газом). Нормальная и тангенциальная составляющие тензора давления в области зоны анизотропии hQ могут быть различны по величине и знаку. В состоянии равновесия условие Рт = PN = Рг выполняется лишь за пределами зоны hQ} где Рг — изотропное давление в объемной части граничащих фаз. Нормальная составляющая Pn в состоянии равновесия при переходе через плоскую границу раздела постоянна и не зависит от z. Тангенциальная составляющая Рт ~ = Рт (z) меняется сложным образом, зависящим от характера действующих в прослойке и в смежных фазах сил.

Постоянство Pn В переходной зоне предполагает равенство нулю суммы объемных сил, действующих на элементарную прослойку толщиной dz (см. рис. II.5). Роль таких сил могут играть электрические силы, действующие на заряды двойных» диффузных слоев, и силы молекулярного притяжения со стороны смежных слоев. Учитывая электромагнитную природу последних, можно использовать представления Фарадея—Максвелла о том, что электростатические и электромагнитные силы передаются эквивалентными силами натяжения, зависящими от локальных значений напряженности электрического и магнитного полей. Эта идея конкретно была реализована в макроскопической теории ван-дер-ваальсовых сил [11, 12], которая позволила заменить дальнодействующие молекулярные силы тензором Лифшица [11] и включить его наряду с тензором электростатического поля в тензор поля давления.

Такой подход дает возможность исключить из рассмотрения объемные силы. Вместе с тем подобное обобщение понятия давления устраняет неоднозначность и неопределенность этого понятия в применении к межфазным переходным слоям и тонким прослойкам, в которых радиус действия сил Ван-дер-Ваальса—Лондона одного порядка с масштабом неоднородности свойств в направлении нормали к поверхности раздела. При этом в случае сохранения «классического» Подхода не представляется возможным точно сформулировать условия равновесия физически малых элементов объема внутри рассматриваемой прослойки (см. рис. П.5). Только исключая объемные силы я заменяя их эквивалентным тензором натяжений, можно решить эту проблему и записать строгие условия гидростатического равновесия.

Обобщенный тензор гидростатического давления в условиях з-осе-вой симметрии полей (Е — Ez, Ех = Еу — 0) записывается в виде [12-14]

оо

+ -таг-5)[ЕН + Р] (И.12)

о о

Выражение для тензора электромагнитного поля является приближенным, строго применимым для недиспергирующих сред [14]. В уравнениях (11.12) и (11.13) Е — локальная напряженность

электростатического поля; i?2(co)— локальное среднее значение квадрата напряженности флуктуационного электромагнитного поля, разложенного на спектральные компоненты круговой частоты со [11, 12]; во — статическое значение диэлектрической проницаемости среды; е (со) — диэлектрическая проницаемость среды, берущаяся на мнимой оси частот со = г?; р — плотность среды. Здесь, как и обычно [11, 12], не учитывается слабое влияние магнитного флуктуационного поля. Слагающая Pt выражает эффект теплового движения и сил

отталкивания Борна; Рь и Рь включают в себя влияние водородных связей и других сил, не учитываемых максвелловским тензором натяжений и теорией Лифшица. В случае молекул или атомов со сферической симметрией или при отсутствии ориентации молекул (изотропное состояние) Ph — Р\.

Таким о

страница 22
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228

Скачать книгу "Поверхностные силы" (3.52Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
куда дешево сдать на хранение личные вещи в москве
вакансии прокат звука
бокалы schott zwiesel
театр на партизанской

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(09.12.2016)