химический каталог




Поверхностные силы

Автор Б.В.Дерягин, Н.В.Чураев, В.М.Муллер

еном [11], измерявшими краевые углы вА на кварце в функции-концентрации СТАВ, но при более низкой концентрации электролита (10~6 моль/л КС1). Позднее качественно близкие зависимости краевых углов QA и 0д от концентрации СТАВ были получены и для водных пленок на поверхности слюды [12].

Постоянная добавка СТАВ (CS = 10~6 моль/л) к 0,1 моль/л раствору NaCl приводила к зависимостям 0А И QR от рН, показанным кривыми 5 и 6 на рис. XI.6. Наибольшее ухудшение смачивания имеет место в области рН от 6 до 10, когда происходит наиболее сильная адсорбция СТАВ на поверхности пленка—газ. При добавке CS — = 10~в моль/л не обнаружено заметных изменений отрицательного-потенциала поверхности кварца [7].

Влияние различного по величине заряда поверхностей на краевые углы водных растворов исследовалось во многих работах. Такг Оттевил с сотр. [13, 14] показали, что максимальные значения краевых углов при смачивании поверхности йодистого серебра раствором KJ -f- AgN03 достигаются при pAg = 5,4 + 0,2, что отвечает изоэлектрической точке, когда отсутствуют силы электростатического отталкивания. Экспериментально обнаружен рост краевого угла водных растворов КС1 (с ионной силой 0,01 моль/л) на кварце при. снижении рН и приближении к изоэлектрической точке [15]. Пше-ницын и Русанов [16] наблюдали максимальные значения краевых углов капель воды на свежеобразованной поверхности ионных кристаллов при нулевом заряде поверхности. Все эти зависимости краевых углов от состава и концентр ацииионных водных растворов могут быть качественно объяснены в рамках теории смачивания Фрумки-на—Дерягина изменением сил электростатического взаимодействия поверхностей пленки, приводящим к изменению вида изотерм расклинивающего давления П (h) смачивающих пленок.

Кроме электростатических сил, на смачивание влияют, естественно, и другие составляющие расклинивающего давления. Так, в-смачивающих пленках неполярных жидкостей наиболее сильно проявляется действие дисперсионных сил. В этом случае возможны количественные расчеты, основанные на макроскопической теории дисперсионных сил (см. главу IV). Для расчета значений интеграла в-уравнении (XI.8), равного избыточной свободной энергии Гиббса на единицу площади пленки, здесь можно использовать следующее-уравнение [17]:

со оо

$ П (h) dh = AG = Jf- ' In (1 + А13Дз2), (XI. 13),

где h0 — некоторая малая толщина пленки при П = 0. Для неполярных жидкостей, не полностью смачивающих подложку, изотерма незапаздывающих дисперсионных сил Пт = —Ao/Qnha целиком лежит в области П < О, так как здесь Ао>0. Подстановка такой изотермы, не пересекающей ось толщин (что приводит к h0 = 0), в уравнение (XI.8) дала бы бесконечно большое (и отрицательное) значение интеграла, что не отвечает реальности. В действительности в области малых h, соизмеримых с межмолекуляряыми расстояниями d0i появляются короткодействующие силы отталкивания, что возг-врагцает изотерму в область П)>0 и делает значения интеграла конечными. Именно это обстоятельство и учитывается уравнением {XI. 13), которое обрезает дисперсионное притяжение, ограничивая его некоторой малой длиной волны %0 — do, когда начинает проявляться дискретность молекулярного строения жидкости и подложки.

В уравнении (XI. 13) Aik — (&t — е*)/ -f- eft),* диэлектрические проницаемости подложки ех и жидкости ез (для фазы газа е2 = = 1) являются функциями частоты i|„ = in (2пкТ/Н). Штрих у знака суммы указывает на то, что нулевой член (п = 0) берется, как обычно, с половинным весом. Расчеты по этому уравнению краевых углов для алканов на тефлоне, изменяющихся от 0О = 0 для пента-зна до 0о = 46° для гексадекана, дали хорошее согласие с экспериментальными данными [171. При этом значения ко составляли от 2,3 до -2,5 А в зависимости от числа углеродных атомов в молекуле алканов.

Существенное влияние на дисперсионные силы в водных смачивающих пленках оказывают адсорбционные слои ПАВ, диэлектрические •функции которых е существенно отличаются от соответствующих ?функций для водного раствора и твердой под

страница 210
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228

Скачать книгу "Поверхностные силы" (3.52Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
купить орхидею 300 руб
мячи mikasa сувенирные
курсы 1 с предприятие с нуля
вентилятор крос91-056-ду400 цена

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(08.12.2016)