химический каталог




Поверхностные силы

Автор Б.В.Дерягин, Н.В.Чураев, В.М.Муллер

должны быть температурные отличия изотермы h (р). Для установления вида этой зависимости используем тождество

Номера кривых относятся к температурам г, < Т, < Г» < Г„

Производную*(д77др)/1 можно принять (при р0 = const) равной значению Р~Рв;л (дТ/др) = — 7VpsL, выражающему зависимость температуры фазового равновесия от давления (р — pQ) на закрытую грань кристалла [131]. Как уже отмечалось выше (см. уравнение (Х.113)), зависимости температуры фазового равновесия от давления Т (р) различны для открытой (h ~ оо) грани кристалла и закрытой, граничащей с твердой подложкой через равновесную жидкую прослойку конечной малой толщины h. Поскольку лед в порах Граничит с тонкими незамерзающими прослойками, находящимися под действием избыточного внешнего давления (Р — Ро)> к нему применимо уравнение (Х.113) для закрытой грани кристалла. Тогда вмеето (Х.127) получим

( dh \ _ TQ J dh\ \ др )т PSL \ дТ )р •

(Х.128)

Так как зависимость h (Т) мало чувствительна к изменению давления р, можно принять (dh/dT)p — consjt, что приводит в силу (дк/дТ)р > > 0 [118—121] к практически линейно возрастающим зависимостям h от р. Однако при приближении Т к Т0 значения (dh/dT)p резко растут (см. главу VII, рис. VII.6), вследствие чего наклон изотерм h (р) должен увеличиваться при повышении температуры, что и отражено на рис. Х.25.

Равновесная толщина незамерзающей прослойки определяется точкой пересечения изотерм h = h (р — р0) и h = h (П), когда (Р ~ Рс) = П (h) (см. рис. Х.25). При каждой заданной температуре Т = Т\ и давлении р0 устанавливается единственно возможная тол

шина равновесной прослойки ht и отвечающее ей значение давления рг = Hj -f- ро. При невыполнении одного из этих условий равновесное состояние нарушается и ледяная пластина будет либо растия либо таять. Это означает, в частности, что стационарное состояние системы на рис. Х.24, в, реализующееся при большом гидродина мическом сопротивлении коммуникаций, возможно не при всех значениях AT и Др. При задании AT и р0 устанавливаются вполне определенные значения й2, р2 и Нъ рх, т. е. формируется вполне определенный перепад давления Др. При значениях Др, отличающихся от заданного условиями локального равновесия прослоек, ледяная пластина должна изменять свою толщину, и, следовательно, стационарное состояние системы нарушается.

Как вцдно из сравнения точек пересечения изотерм на рис. Х.25, повышение температуры ведет к росту толщины незамерзающих прослоек и снижению развиваемого ими расклинивающего давления. Абсолютное значение толщины прослоек зависит от вида изотерм П (h). Чем выше проходит изотерма П (h) на рис. Х.25, тем больше и равновесная толщина прослоек при данной температуре. Так как коэффициент ап (при малом гидродинамическом сопротивлении коммуникаций) зависит от h, то, следовательно, от вида изотермы П (К) существенным образом зависит также и кинетика массообменных процессов в мерзлых пористых телах.

Заметим, Что из известного факта пересечения изотермами Us (К) для сс-нленок воды оси толщин (см. рис. VII.28 и Х.25) следует возможность реализации в промерзающих пористых телах (с большей вероятностью при Т Т0) отрицательных значений расклинивающего давления. Таким образом, незамерзающие прослойки могут оказывать не только расталкивающее (при П > 0), но также и стягивающее (при П <С 0) действие на частицы твердой фазы пористого тела.

Рассмотренная выше щелевая модель (см. рис. Х.24) легко обобщается на другой важный случай, отвечающий массообмену между талой и мерзлой зонами пористого тела (например, грунта). Для перехода к этому случаю достаточно принять для одной из прослоек следующие условия (рис. Х.26, а):]

И2= р2- Ро = 0, Т2 = T0f К оо. (Х.129)

Этой модельной схеме отвечает реальная ситуация, показанная на рис. Х.26, б. Здесь температура Т0 отделяет талую зону I от выше расположенной зоны 77, где линзы льда сосуществуют с незамерзающими прослойками при Т <С Т0. В силу малой толщины линз по сравнению с расстоянием от линзы до талой зоны мо

страница 197
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228

Скачать книгу "Поверхностные силы" (3.52Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
PMP1012TE3GRD
http://taxiru.ru/shashki-dlya-taxi-all/
лесные участки с коммуникациями
cr45-2-2 grundfos

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(19.10.2017)