химический каталог




Поверхностные силы

Автор Б.В.Дерягин, Н.В.Чураев, В.М.Муллер

только в фазе пара..

При действии в пленке, кроме градиента расклинивающего давления, также и электрического поля уравнение (Х.61) принимает следующий вид:

grad Pi -f роgxadU = r\, (X.69>

где U (x) — электрический потенциал и р0 (г) — объемная плотность заряда.

В тонких пленках, где диффузные ионные слои обычно перекрываются, можно использовать (в случае невысоких потенциалов подложки Ts и отсутствия заряда на поверхности пленка—газ) следующее выражение для р0 (z):

Z) = - ?яг-* '

гдех — обратный дебаевский радиус ДЭС и е0 — статическая диэлектрическая проницаемость жидкости. Подставляя это выражение в (Х.69), можно было получить соответствующее выражение для скорости электроосмотического течения в пленке на единицу длины ее-периметра [71, 78]:

Пленочный электроосмос экспериментально исследован пока недостаточно. Известно лишь несколько попыток его измерений на модельных капиллярных системах, давших только качественное подтверждение теории [79, 80].

Условия течения существенным образом меняются, когда на поверхность пленки приложено- некоторое напряжение сдвига т = = const (рис. Х.14). Возникающее при этом внутри пленки постоянное напряжение сдвига т обусловливает течение с постоянным

Рис .X .14. Течение смачивающей пленки под действием приложенного к ее поверхности постоянного напряжения сдвига

T(Z)

V(Z)

традиентом скорости, что приводит к следующему уравнению для пленочного потока q (г/см2-с):

q — ртй/2ц.

(Х.72)

Появление напряжения сдвига т на поверхности пленки может ыть вызвано различными причинами: например, потоком газа, обдувающим пленку, или градиентом ее поверхностного натяжения, вдувание пленки потоком инертного газа давно используется для нахождения по форме профиля h (х) сдуваемой пленки распределения зязкости по ее толщине [81]. Методом сдувания исследованы смачивающие пленки различных жидкостей на хорошо полированных поверхностях стекла и стали (см. главу VII). Показано, что в зависимости от строения граничных слоев жидкости они могут обладать :как повышенной вязкостью, например, при нормальной к поверхности ориентации вытянутых молекул, так и пониженной вязкостью — при ориентации осей молекул параллельно твердой подложке.

Напряжение сдвига т до/дх может являться также следствием температурной о* (Г) или концентрационной а (С) зависимости поверхностного натяжения жидкости, если Т или С зависят от х. Термокапиллярное течение пленок, возникающее под действием градиента температуры dT/dx, описывается уравнением (Х.72), которое принимает в этом случае следующий вид [82, 83]:

. ph ( дз \ 2*1 \ дТ )

(Х.73)

Так как для большинства жидкостей в довольно широком интервале температуры до/дТ ~ const, термокапиллярный поток оказывается прямо пропорциональным градиенту температуры и всегда направлен в холодную сторону, поскольку до/дТ < 0.

Уравнение (Х.73) проверено количественно в экспериментах с пленками не полярной жидкости [84], полностью смачивающей поверхность стеклянных капилляров, что позволило использовать изотерму молекулярной составляющей расклинивающего давления Пт = —AJ$nh? с теоретически рассчитанной константой Гамакера. В этих опытах была использована известная методика [82, 83, 85], состоящая в измерениях смещения х пузырька воздуха в заполненном неполярной жидкостью и запаянном капилляре (рис. Х.15) под

Рис.Х.15. Смещение х пузырьков газа в запаянном капилляре под действием термокапиллярного течения пленок -до-декана при различном градиенте температуры

1 — dT/dx —

= 6,5 град/см; .г —10,4; 5 — 14,6; 4 — 20,8 град/см

с

?2

действием градиента температуры. Эксперименты проведены с и-до-деканом. Выбор этой жидкости определялся ее малой летучестью в сочетании с не слишком высокой вязкостью, что позволило повысить вклад пленочного термокапиллярного течения в суммарный поток жидкости и пара. Для уменьшения потока пара поддерживали среднюю температуру пузырька возможно более низкой. Использование батареи термоэлементов позволило провести измерения при ср

страница 184
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228

Скачать книгу "Поверхностные силы" (3.52Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
лучшие волейбольные кроссовки
Howard Miller 611-216
стоимость билетов на анну каренину
заказать авто на свадьбу

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(04.12.2016)