химический каталог




Поверхностные силы

Автор Б.В.Дерягин, Н.В.Чураев, В.М.Муллер

авен

ф = qrt/er3 (VI. 135)

и является потенциалом именно такого кругового диполя. Действительно,'потенциал, создаваемый центральным зарядом q и круговым зарядом —q в точке М на рис. VI.23, равен

ум(г) = ±-_\\ = Л [ 1*! (VI.136)

er J еД er J 2пе (г3 + r$ — 2rr cos a)1' '

Q С С 7

Разложение при гс < г знаменателя в ряд по степеням малого отношения г J г дает

Фм — gr?/4er3, (VI.137)

что совпадает с (VI. 135) при rc = 2rg.

Оценка величины отношения корреляционной добавки к максимальной величине макроскопического расклинивающего давления в зазоре, определяемой формулой (VI.33), показывает, что на очень малых расстояниях, составляющих доли дебаевской длины, электростатическое отталкивание между поверхностями раздела может быть заметно ослаблено корреляционным притяжением и в принципе может изменить общий баланс сил, действующих в очень тонких слоях разбавленных электролитов. Так, для поверхностей с потенциалом 25 мВ в 1СГ3М водном растворе одновалентного электролита (радиус

Дебая равен 100 А) при h — 20 Л | Псог/™ах/П1 0,5, если концентрация ионов на поверхности 1012 см-2, т. е. степень заполнения поверхности ионами меньше 0,1%, а радиус корреляции составляет примерно 110 А. С ростом потенциала поверхности.и концентрации электролита относительный вклад корреляционной добавки уменьшается, кроме того, она проявляется уже на таких расстояниях, где, несомненно, начинают сказываться структурные эффекты (см. главу VII).

§ 10. Расклинивающее давление в тонкой свободной пленке

В § 2 этой главы мы уже говорили о том, что для расчета зависимости расклинивающего давления от толщины пленки необходима правильная формулировка граничных условий при интегрировании уравнения ПБ. Обычно принимаемое условие постоянства потенциала на границах диффузного ионного слоя приемлемо только до тех пор, пока толщина прослойки заметно превосходит толщину дебаев-ских ионных атмосфер (см. рис. VI.2). Дело меняется, когда прослойка становится много тоньше дебаевской длины. С этим мы встречаемся в случае вторичных черных свободных или эмульсионных пленок или при таком агрегировании коллоидных частиц, когда между ними сохраняется прослойка жидкости. Существование такой прослойки в последнем случае может быть связано с тем, что при быстром сближении частиц адсорбционное равновесие ионов не успевает установиться. В результате последняя стадия сближения идет скорее при постоянных зарядах поверхностей. Их медленная релаксация способна объяснить экспериментально наблюдаемую невозможность пептизации после длительного пребывания частиц в агрегированном состоянии.

Это объяснение, однако, неприменимо к устойчивости вторичных черных пленок, сохраняющихся иногда годами и возникающих также и при медленном утоныпении первичных пленок. Здесь необходим подход, основанный на рассмотрении конкретного механизма заряжения поверхностей, что позволяет рассчитывать заряд и потенциал поверхности в функции толщины прослойки, а не довольствоваться априорными допущениями относительно их поведения и величины. Нинхем и Парседжан [54] исследовали изменение степени ионизации поверхности пленки, содержащей растворенные одно-и двухзарядные ионы, при ее утоныпении, однако они не ставили своей задачей получение явных аналитических зависимостей, ограничившись численным анализом сложных параметрических уравнений. Мы рассмотрим здесь для простоты случай разбавленного раствора, содержащего только одно поверхностно-активное ионо-генное вещество, например анионоактивный олеат натрия.

При достаточно малой толщине прослойки раствора, много меньшей толщины ионной атмосферы, содержанием в объеме прослойки анионов можно пренебречь. Все анионы будут находиться в адсорбированных монослоях на поверхностях прослойки за счет специфической адсорбции. Часть анионов будет «блокирована» катионами, и только оставшаяся часть определит заряд поверхностей на единицу площади а. В силу условия электронейтральности этот заряд компенсируется зарядом катионов, присутствующих в

страница 103
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228

Скачать книгу "Поверхностные силы" (3.52Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
облегченные плиты перекрытия
монтажная пленка для переноса наклейки цена екатеринбург
тахта спальное место 110х200
ученик мастера по холодильникам

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(23.08.2017)