химический каталог




Химия и технология редких и рассеянных элементов. Часть 3.

Автор Большаков К.А.

ура головки колонны 250—300°.

Для очистки теллура применяется вакуумная дистилляция или сублимация. Для отделения селена рекомендуется перегонка в токе водорода [104]. Наилучшие результаты дает очистка теллура ректификацией в тарельчатых колоннах [105]. Если ректифицируют при атмосферном давлении, то температура колонны 850—1000°, куба 1000—1150°, головки колонны 550°. При ректификации в водороде кварц оказывается достаточно стойким. Из-за меньшей летучести теллура по сравнению с селеном рекомендуется ректифицировать Те при пониженном давлении, что позволяет снизить температуру процесса до 600—800° [106].

Кристаллофизическая очистка. Кристаллофизи-ческие методы применяют для получения теллура полупроводниковой степени чистоты. Для очистки селена эти методы пока не нашли промышленного применения. В табл. 28 приведены наиболее надежные коэффициенты распределения примесей при кристаллизации теллура.

Из всех примесей в теллуре только селен имеет неблагоприятный коэффициент распределения. Практически же, кроме Se, обычно плохо удаляются при кристаллофизической очистке также S, Si, Na, Al, Mg и некоторые другие примеси. Кадмий, хотя его равновесный коэффициент распределения больше единицы, при зонной плавке обычно оттесняется в конец слитка [109]. Для получения теллура высокой чистоты следует вести кристаллизацию со скоростью порядка 1—2 см/ч, хотя в некоторых случаях можно получить удовлетворительные результаты и при больших скоростях — до 8 и даже до 20 см/ч [112].

Зонная плавка'проводится в графитовой или кварцевой лодочке в инертной атмосфере либо в токе водорода. В последнем случае улучшается очистка от селена (за счет образования селеноводорода), а также от ртути. Зонная очистка теллура позволяет получить материал с — 1О^6—-10-7 % примесей. Предложено применять зонную плавку не к элементарному теллуру, а к его соединениям. При зонной плавке тетра-хлорида наблюдается гораздо лучшая очистка от алюминия, железа, висмута и кремния, чем при зонной плавке теллура. JK0 соответственно равны 0,07; 0,1; 0,12 и 0,16 [113]. Монокристаллы теллура получают методом Чохральского.

Зонная плавка селена осложняется стеклообразованием при охлаждении расплава. Для предупреждения этого требуется поддерживать во всем слитке между расплавленными зонами температуру ~150° (при которой наблюдается максимальная скорость кристаллизации селена) и вести плавку при малой скорости. Коэффициенты распределения примесей в селене почти не определялись. По [3], для свинца коэффициент распределения равен 0,21, а для меди, серебра, сурьмы и висмута — единице; для теллура, так же как и для серы,— больше единицы [3]. К числу трудноудаляемых примесей относятся и бор, кремний, теллур.

Получение как селена, так и теллура высокой степени чистоты возможно только в результате комбинирования различных методов очистки; как правило, химические методы очистки предшествуют таким физико-химическим методам, как ректификация и зонная плавка. Для теллура использовалась, например, такая комбинация методов: хлорирование, экстракция ТеС14 из солянокислого раствора, гидролиз, восстановление Те02 водородом, сублимация теллура и зонная плавка в токе водорода [114].

Получение важнейших соединений селена и теллура. Промышленность выпускает Se02, Te02, Na2Se03, Na2Se04, Na2Te03 и некоторые другие соли, ряд селенидов и теллуридов тяжелых металлов, в первую очередь Bi2Te3 и CdTe. Двуокись селена обычно получают, сжигая селен в токе воздуха или кислорода. Для получения селенита натрия двуокись растворяют в воде, образующуюся селенистую кислоту нейтрализуют содой или едким натром; затем следуют операции выпаривания и кристаллизации. Для получения селената натрия селенистую кислоту окисляют электролитически до селеновой, а затем нейтрализуют ее содой с последующим выпариванием и кристаллизацией из нейтрального раствора (при 0°) [62]. Селенат и селенит натрия взаимно высаливают друг друга [115].

Двуокись теллура получают, окисляя теллур азотной или серной кислотой с последующим про

страница 85
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184

Скачать книгу "Химия и технология редких и рассеянных элементов. Часть 3." (2.82Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
техник программа обучения
трансфер в аэропорт домодедово
значок не курить
Аренда элитных квартир на метро Арбатская

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(21.01.2017)