химический каталог




Химия и технология редких и рассеянных элементов. Часть 1.

Автор Большаков К.А.

каливания CsBr повторно подвергают аналогичной обработке. Бромид цезия после второго осаждения содержит 99,95% основного вещества, не более 0,02% Rb, не более 0,005%К, 0,002% Na и 0,002% Li (в исходном бромиде цезия 5% Rb и до 1,5% других щелочных элементов).

В настоящее время разработана принципиальная схема очистки CsBr от примеси рубидия и других щелочных металлов черезCs[I(IBr)]. Схема позволяет из технического CsBr (90—95% основного вещества) получать особо чистый CsBr с содержанием менее 0,0003—0,0005% рубидия; выход 60—65% за одно осаждение и 90—95% за одну серию осаждений [146]. Использование маточных растворов сводит к минимуму потери CsBr, а иод может быть регенерирован. Все это позволяет при необходимости организовать получение особо чистых солей цезия из технического продукта по цене, не превышающей более чем на 10% его стоимость. Высокая кратность очистки (10—-20) и селективность извлечения CsBr из смеси с другими щелочными элементами дают методу решающие преимущества перед другими, использующими комплексные соединения в процессах кристаллизации-осаждения.

Новые методы получения особо чистых галогенидов рубидия и цезия позволяют рекомендовать комплексные схемы использования АнГ. Одна из них представлена на рис. 21. Она состоит из уже знакомых читателю составных частей, каждая из которых не нуждается в пояснении. Укажем только, что здесь переход от RbCl с Rbl осуществляется через RbH3(C204)2.2H20**.

* Бромид цезия, необходимый для осаждения Cs[l(IBr)], может быть получен из любой соли цезия через гидрооксалат — карбонат.

** Этот переход способствует попутной очистке от ряда примесей, прежде вс^го от щелочноземельных металлов.

Рассмотренные примеры использования АнГ щелочных элементов показывают, что координационные соединения с успехом могут быть применены для эффективной очистки и получения особо чистых соединений рубидия и цезия. Они обеспечивают глубокую очистку рубидия и цезия потому, что позволяют реализовать в технологическом процессе системы с минимальным коэффициентом сокристаллизации удаляемых примесей. Эти достоинства АнГ в физико-химическом отношении неоспоримы. Но успех глубокой очистки любых веществ зависит и от решения ряда чисто технологических и инженерных задач. Иначе говоря, встают вопросы, связанные с созданием устойчивой аппаратуры для работы с АнГ; необходима и общая оценка их технологичности. Известно, что галогены и межгалогены (IC1, 1Вг и др.),

Фильтрат

I

Фильтрование и промывка

H,0

СНяСООН

Особо чистый RbCl

4

Осаждение

RbH3(C204)2.2HaO I

(Сброс) <—

Фильтрат

Фильтрование и промывка

Технический CsBr

С2Н50Н

С02, СО

СО,Прокаливание I

•Получение Rbl «HI

НВг

Фильтрат

Осаждение Cs[I(IBr)]Фильтрование и промывка

По сл едо вател ьное

осаждение (Rb, Cs)[I(I)2] I

Упаривание

и прокаливание

Прокаливание

Особо чистый Rbl

Рис. 21. Принципиальная комплексная схема получения некоторых особо чистых галогенидов рубидия и цезия

необходимые для получения АнГ, являются сильными окслителями. Их высокая химическая активность при температурах термического разложения АнГ увеличивается, равно как и реакционная способность самих АнГ. Все это усложняет выбор конструкционных материалов, в качестве которых можно использовать графит и немногие металлы. Но накопленный опыт показывает*, что для изготовления аппаратуры можно использовать и другие неорганические материалы, а для получения особо чистых солей — органические материалы (фторопласт). Более того, разработаны принципы конструирования аппаратуры для работы с АнГ рубидия и цезия, создан оригинальный тип реактора из фторопласта-4, в котором можно последовательно осаждать, фильтровать и прокаливать АнГ [10].

Технологические же достоинства АнГ исключительно высоки: АнГ легко и просто синтезируются, выделяясь из растворов в виде хорошо фильтрующихся кристаллических осадков, характеризуются высокими температурными коэффициентами растворимости и высокой (в среднем 10—30) кратностью очистки. При

страница 96
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226

Скачать книгу "Химия и технология редких и рассеянных элементов. Часть 1." (3.06Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
изготовить номера квартир
где купить сертификат икеа
канальный вентилятор vr 50-25/22.4d цена
сколько стоит бутсы для футбола

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(17.12.2017)