химический каталог




Химия и технология редких и рассеянных элементов. Часть 1.

Автор Большаков К.А.

ектролиз из слабокислого раствора (рН около 2—3). Электролитом служит раствор хлоридов индия и натрия или аммония (например, 60 г/л индия, 30 г/л NH4C1) с небольшим количеством желатины или клея. Хлорид натрия (или аммония) увеличивает электропроводность электролита. Желатина (или клей) способствует получению ровного плотного осадка. Электролиз ведут в кварцевых или керамических сосудах. Катоды делают из титана или из тонких листов очищенного индия.

Содержащиеся в анодном индии примеси свинца, олова, меди, висмута и т. п. большей частью переходят в шлам, для собирания которого аноды заключают в хлопчатобумажные мешки. При электролизе создают плотность тока 100—200 А/м2, температуру до 40° [134].

Для лучшей очистки индия предложен электролиз в ваннах с диафрагмой и непрерывной очисткой электролита путем цементации на

1

/

3d.

с!

4/У//////7///7////,,. .,7//////77

Рис. 74. Схема электролизера с

биполярными электродами для

амальгамного рафинирования индия;

/ — индиевый анод в капроновом мешке; 2— платиновый катод: 3, 4—ртутные биполярные электроды; 5 — диафрагма из капрона

процессы образования и разло-одновременно. Электролитом может служить разбавленная серная кислота. Чтобы отделить кадмий и таллий, обладающие близкими к индию потенциалами, рекомендуется к электролиту средней ячейки добавлять иодид калия, который связывает кадмий и таллий в комплексы и тем самым сдвигает их потенциал [136].

В [137] предложен другой метод амальгамного рафинирования. Он включает в себя обработку амальгамы при 65—70° 5 н. раствором КВг, подкисленного бромистоводородной кислотой (при этом, в частности, удаляется кадмий, связывающийся в комплексы KaCdBr^), и фильтрацию амальгамы, охлажденной до —25°, через стеклянный фильтр (при этом резко уменьшается содержание примесей олова, меди, свинца, висмута, кадмия, алюминия и цинка). Амальгаму разлагают в хло-ридном электролите, подкисленном соляной кислотой (10—15 г/л).

Амальгамным методом (с применением ряда предосторожностей) можно получить очень чистый металл, пригодный для полупроводниковой техники. После амальгамного рафинирования индий содержит следы ртути и поэтому должен быть подвергнут вакуумной обработке или электролитическому рафинированию.

Кристаллофизическая очистка. Окончательно очищают индий обычно кристаллофизическими методами — зонной плавкой, направленной кристаллизацией или вытягиванием из расплава по Чохральскому. При этом наблюдается хорошая очистка от примесей меди, никеля и серебра, которые оттесняются в конец слитка. Если вытягивать на воздухе, то имевшееся в исходном индии железо концентрируется (~70—80%) в окисной пленке, остающейся на дне тигля. Если же вытягивание или зонную плавку проводить в вакууме или в атмосфере азота, то закономерного распределения железа по длине слитка не наблюдается. Поэтому если при предварительном

электролитическом рафинировании не была достигнута достаточная очистка индия от железа, его вытягивают на воздухе. Таким путем можно получить индий с содержанием железа менее 2- 10^s%.

Подобным образом ведет себя и цинк. При плавке в атмосфере азота индий от цинка практически не очищается. Если же вытягивать индий на воздухе, то основная масса цинка переходит в окисную пленку. Содержание цинка в пленке примерно в 500 раз выше, чем в очищенном слитке С13SI. Приведем имеющиеся в литературе данные о коэффициентах распределения примесей в индии [139].

0,8 1,7 0,7 ~1 0,6 0,6

Медь 0,08 Олово

Серебро 0,06 Магний

Никель 0,01 Галлий

Кадмий 0,72 Таллий

Ртугь 0,6 Висмут

Золото 0,6 Сурьма

Теллур 0,12

Коэффициенты распределения свинца и цинка близки к единице. Олово при зонной плавке и вытягивании незначительно обогащает концы слитков. Следовательно, для удаления олова (и свинца) крис-таллофизические методы мало эффективны.

Очистка через соединения. Недостаточная эффективность кристаллофизической очистки индия от ряда примесей заставляет искать объекты для такой очистки среди

страница 197
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226

Скачать книгу "Химия и технология редких и рассеянных элементов. Часть 1." (3.06Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
attraction - the box / шоу теней
аренда проектора экрана
матрас аскона фиеста
билеты в театр ленком

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(26.09.2017)