химический каталог




Химия и технология редких и рассеянных элементов. Часть 1.

Автор Большаков К.А.

ературная б-модификация; кристаллизуется в моноклинной сингонии.

Промежуточный селенид In5Se6 (или, возможно, In6Se7) образует твердые и хрупкие моноклинные кристаллы черного цвета (плотность 6,13 г/см3). Устойчив на воздухе. Медленно растворяется в разбавленных минеральных кислотах на холоду и быстро при нагревании. Концентрированными кислотами разлагается, выделяя элементарный селен. Описан еще один промежуточный селенид— In5Se7, устойчивый в интервале 198—660*°. Кристаллизуется в кубической сингонии [64].

Моноселенид InSe образует коричневато-черные гексагональные кристаллы (плотность 5,5—5,7 г/см3), расщепляющиеся по спайности, подобно слюде на очень тонкие прозрачные слои. Устойчив на

ыг$и воздухе и по отношению к воде.

Растворяется в минеральных кислотах.

Низший селенид In2Se весьма твердое, черное с фиолетовым оттенком вещество (плотность 6,15 г/см3). Кристаллизуется в ромбической сингонии [58]. Довольно летуч даже при сравнительно низких температурах — 300—400° [65].

Теллуриды. Индий образует с теллуром большое число соединений. Кроме шести соединений, приведенных на диаграмме состояния (рис. 64), в литературе указывалось на существование 1п3Те2, 1пдТе7, 1п4Те7, 1пТе3 [58]. Синтезируются все теллуриды путем сплавления компонентов.

Полуторный теллурид 1п2Те3 — сравнительно твердое черное вещество, устойчивое на воздухе, не растворимое в воде и разбавленных кислотах. Концентрированные кислоты при нагревании полностью его растворяют. Со своими компонентами образует небольшие области твердых растворов (~1 %). Известны две его модификации с температурой превращения 617°, обе со структурой типа сфалерита. Низкотемпературная а-модификация (плотность 5,73 г/см3) обладает упорядоченной структурой, высокотемпературная (^-модификация (плотность 5,79 г/см3) — неупорядоченной.

Монотеллурид индия InTe — мягкое слоистое вещество сине-стального цвета, плотность 6,29 г/см3. Устойчив на воздухе, плохо растворяется в соляной кислоте и лучше в азотной. При нагревании в вакууме возгоняется без разложения. Обладает слоистой структурой с тетрагональной элементарной ячейкой. В ней атомы индия имеют два различных структурных положения с координационными числами 4 и 6; его формула в действительности 1п[1пТе2], т. е. он является теллу-роиндатом индия (I). Для кристаллов InTe характерна сильная анизотропность. В частности, вдоль оси кристаллов он имеет металлическую проводимость, а в перпендикулярном направлении — полупроводниковую. Ниже 10°К становится сверхпроводником.

Низший теллурид In2Te — темно-серое вещество (плотность 6,47 г/см3), кристаллизующееся в ромбической решетке. Легко возгоняется без разложения при нагревании в вакууме [66].

Другие теллуриды индия мало изучены.

Соединения с элементами V группы. Подобно аналогичным соединением галлия, соединения индия с элементами главной подгруппы V группы периодической системы, кроме висмута, являются полупроводниками. Некоторые свойства их приведены в табл. 36. Кроме нит- /

1 ? » I I t I { 1 I I | | I I 1 L-L-J 1

In 20 W SO 80 P In 20 kO 60 80 As In 20 W 60 80 Sb

am "/в am. % am. %

a 6 В

Рис. 65. Системы индия с фосфором (а), мышьяком (б) и

сурьмой (б)

рида, все они кристаллизуются в кубической решетке типа сфалерита, а нитрид — в решетке вюртцита.

Нитрид. Индий в отличие от галлия не реагирует с аммиаком при нагревании. Реакция окиси индия с аммиаком

ln203 + 2NH3 = 2InN -f 3H20 (6)

происходит в узком интервале температур — 600—630°. Для ускорения, реакции добавляют к окиси индия карбонат аммония в качестве разрыхлителя [67]. Можно получать нитрид также разложением гекса-фтороиндата аммония при 600° в токе аммиака. Этими способами получают нитрид в виде черного порошка. Разложением паров аммиакатов хлорида индия на нагретой поверхности (600°) получают нитрид в виде прозрачного коричневого плотнокристаллического слоя [68].

По химической стойкости нитрид индия значительно усту

страница 182
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226

Скачать книгу "Химия и технология редких и рассеянных элементов. Часть 1." (3.06Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
замена глушителя фольксваген
подарочные сертификаты на технику
сибирь гостиница новосибирск официальный сайт
http://taxiru.ru/faq/prikaz-n-410/

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(13.12.2017)