химический каталог




Химия и технология редких и рассеянных элементов. Часть 1.

Автор Большаков К.А.

о газа порядка 60 атм. Для уменьшения испарения рекомендуется покрывать расплав слоем флюса (борного ангидрида).

Для получения эпитаксиальных слоев фосфида галлия чаще всего пользуются транспортной реакцией, аналогичной реакции (24), в токе водорода с небольшим количеством паров воды (ею обычно насыщают водород при 0°). Температура источника фосфида галлия 1050—

1100°, температура подложки на 20—100 град ниже. Достигается высокая скорость роста пленок. Но полученные таким путем пленки содержат повышенное количество кислорода. Когда это недопустимо, используют другие транспортные агенты, например хлористый водород:

2GaP -f 2НС1 = 2GaCl -f 2Р + Н2 (28)

В этом процессе температура источника 860° и подложки 600°; концентрация хлористого водорода в смеси 2—5 объемн. % [1271.

Предложено для получения пленок фосфида использовать реакцию галлийорганических соединений с фосфористым водородом, аналогичную реакции [27].

Антимонид галлия. Компоненты антимонида галлия не обладают высоким давлением пара, поэтому его получают, сплавляя Ga и Sb в атмосфере водорода или аргона. Для очистки от летучих примесей (цинка, кадмия и т. п.) антимонид после синтеза подвергают вакуумной термообработке при 800° и остаточном давлении 10~4 мм рт. ст. в течение 2 ч. При этом теряется некоторое количество сурьмы за счет испарения; для компенсации при синтезе берут избыток сурьмы примерно 5% против стехиометрии.

Методы очистки антимонида галлия разработаны еще недостаточно. Мало изучено и поведение примесей при его кристаллофизической очистке. В результате зонной плавки получается материал, содержащий примеси, природу которых определить не удается. Вследствие этого зонную плавку антимонида проводят только с целью гомогенизации образцов. Для этого достаточно 2—4 прохода зоны во встречных направлениях со скоростью менее 2 см/ч. Монокристаллы антимонида выращивают по методу Чохральского в атмосфере водорода на обычных установках. Выращивание из расплава, обогащенного сурьмой, дает монокристаллы более высокого качества. По-видимому, избыток сурьмы способствует получению более стехиометрических кристаллов, а также, возможно, изменяет коэффициент распределения примеси, который в обычном расплаве близко к единице.

Коэффициенты распределения примесей при кристаллизации антимонида галлия приведены в табл. 34. Нужно иметь в виду, что у анти-монидов сильнее, чем у других соединений проявляется так называемый эффект грани. Он заключается в том, что при кристаллизации монокристалла коэффициент распределения примеси может существенно зависеть от кристаллографического направления. Чтобы учесть этот эффект, используют так называемое фасеточное отношение, равное отношению коэффициента распределения на плоскости (111) к его значению на других плоскостях:

R= ( } . (29)

*вие (Ш)

Для примеси теллура в антимониде галлия это отношение равно 2, для селена 1,5, для мышьяка 0,5 [127].

ЛИТЕРАТУРА

1. И. А. Ш е к а, И. С. Ч а у с, Т. Т. М и т ю р е в а. Галлий. Гостех-издат УССР, Киев, 1963.

2. Н. И. Е р е м и и. Галлий. «Металлургия», 1964.

3. Р. В. Иванова. Химия и технология галлия. «Металлургия», 1973.

4. L. В о s i о. Compt rendus Acad. Scl., B270, 1453 (1970).

5. H. Bremer, В. Bogatzki. Z. Chemie, 8, 309 (1968).

6. Metal Indastry HandBook, 18, 1961.

7. Т. И. Л e ж а в а, А. Г. Ваграмян. Изв. АН СССР, ОХН, 435 (1964).

8 Л. Ф. Козин. Изв. АН Каз. ССР, СХ № 3, 6 (1968).

9. К- Pohl. Naturwissenschaften, 55, 82 (1968).

10. С. А. Щ у к а р е в, Г. А. Семенов, И. А. Р а т ь к о в с к и й. ЖНХ, 14, 3 (1969).

П. С. N. Cochran, L. М. Foster. J. Electrochem. Soc, 109, 144 (1962).

12. Б. В. Г p о м о в. ЖПХ, 21, 260 (1948).

13. С. В. Геворкян, Н. А. Г у р о в и ч. Изв. АН Арм. ССР, сер. хим., 13, 405 (1960).

14. И. В. Т а н а н а е в, Н. В. Б а у с о в а. Химия редких элементов, 2, 12 (1955).

15. В. А. Ц и м м е р г а к л, Г. В. Лаврова. Укр. ХЖ, 29, 258 (1963).

16. Б. А. Б о ч к а р е в, А. И. 3 а з у б и н, Г

страница 171
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226

Скачать книгу "Химия и технология редких и рассеянных элементов. Часть 1." (3.06Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
самокат электро xiaomi
KNS.ru - гипермаркет электроники предлагает купить пк дешево в Москве и с доставкой по России.
alt-j 2017
насос vhc 180.2

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(25.07.2017)