химический каталог




Химия и технология редких и рассеянных элементов. Часть 1.

Автор Большаков К.А.

нты равновесия обратимой реакции от температуры. Направление переноса вещества определяется знаком теплового эффекта реакции. В экзотермических реакциях оно переносится от более низкой температуры к более высокой, в эндотермических — наоборот. Газообразные участники реакции могут переноситься в потоке какого-либо инертного газа-носителя (когда процесс идет в открытой системе) либо за счет диффузии или конвекции (в закрытой системе).

/ — графитовый тигель; 2 — прозрачный экран; 3— затравка; 4 — постоянный магнит; Б — направляющая кварцевая трубка; в — кварцевая ампула; 7 — графитовый подшипник; 8 — сердечники из МЯГКОГО железа; 9 — механизм вращения магнитов; 10— наружный обогрев стенок ампулы; // — кварцевый щ?чж с затравкодержателем; 12 — растущий кристалл; 13 — высокочастотный индуктор; 14 — расплав; 15—наружная кварцевая труба, заполненная инертным газом; 16 — термопара

Арсенид галлия. Синтезируют арсенид галлия обычно непосредственно из элементов, пользуясь вышеописанным двухзонным или трехзонным методом. В последнем случае в «холодной» зоне, контролирующей давление пара мышьяка, поддерживается температура 605° (с точностью +0,5 град), что обеспечивает давление около 0,9 атм. В «горячей» зоне поддерживается температура около 1250°.

Для очистки и получения монокристаллов пользуются либо методом направленной кристаллизации в лодочке непосредственно после синтеза, как это описано выше, либо вытягиванием из расплава по Чох-ральскому, либо, наконец, бестигельной зонной плавкой.

Монокристаллы, обладающие заданной кристаллографической ориентацией, получают по методу вытягивания. На рис. 57 приведена схема одного из типов применяемых для этой цели установок. В ней весь процесс вытягивания происходит в запаянной кварцевой ампуле. Шток с затравкой перемещается магнитным приводом [127]. В таких установках получаются наиболее высококачественные кристаллы. Но удобнее в работе и более производительны разборные установки. В приборах с «шприцевым уплотнением» шток с затравкой соединен с кварцевым поршнем, хорошо пришлифованным к внутренним стенкам камеры, в которой происходит выращивание. В другом типе разборных установок для противодействия диффузии паров мышьяка через затвор создается внешнее давление инертного газа (аргона), что сводит потери мышьяка к минимуму (2—4 г за процесс). Нужное давление паров мышьяка в этих установках поддерживается двух- или трех-зонным методом.

Более простой способ получения монокристаллов — выращивание из-под слоя [130] расплавленного борного ангидрида толщиной ~10 мм. Флюс прозрачен и позволяет вести наблюдение за процессом роста. Чтобы не прорвались пары мышьяка через слой флюса, в камере поддерживается давление инертного газа ~1,5 атм. В этом случае можно использовать обычные установки для вытягивания, применяемые для получения монокристаллов германия (см. II том).

Высокочистые монокристаллы арсенида галлия получают методом бестигельной зонной плавки. Здесь также основное — уплотнение ампулы. Самый простой путь — использование запаянной ампулы. Однако для промышленных целей более удобны разборные ампулы с шприцевым уплотнением [127]. Коэффициенты распределения примесей в арсениде галлия по [131] приведены в табл. 34.

Для выращивания эпитаксиальных пленок арсенида галлия в настоящее время пользуются преимущественно реакцией переноса с помощью закиси галлия (в качестве транспортного агента используют влажный водород) либо реакцией (14). В первом случае процесс описывается суммарным уравнением

2GaAs + Н20 = Ga30 -f */2 As4 + H2

(24)

Реакция эта эндотермическая, поэтому перенос происходит от более высокой температуры (825—900°) к более низкой (725—775°).

При использовании реакции (14) водород, насыщенный парами хлорида мышьяка, пропускают над лодочкой с металлическим галлием, нагретым до 900°. После образования твердого арсенида галлия начинается его перенос в зону осаждения с температурой ~750° за счет реакций

4GaAs + 4HCI = 4GaCI + As4 + 2H2 4GaAs + 2GaCl3 = 6GaCl + A?4

(25) (2

страница 169
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226

Скачать книгу "Химия и технология редких и рассеянных элементов. Часть 1." (3.06Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
цветы лео цены
Фирма Ренессанс лестницы из дерева винтовые- быстро, качественно, недорого!
кресло клио цена
Выгодное предложение от интернет-магазина KNSneva.ru на сколько стоит недорогой ноутбук - г. Санкт-Петербург, ул. Рузовская, д.11.

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(09.12.2016)