химический каталог




Химия и технология редких и рассеянных элементов. Часть 1.

Автор Большаков К.А.

аллофизическими методами [123].

Очистка через галлийорганические соединения. Для получения чистого галлия рекомендуется триэтилгаллий после очистки фракционной дистилляцией (при пониженном давлении в инертной атмосфере) растворять в диоксане или другом растворителе и разлагать в специальном аппарате действием ультрафиолетовых лучей (например, от ртутной лампы) и пропускать одновременно водород или инертный газ. Галлий собирается в нижней части аппарата, а образовавшиеся углеводороды уносятся с током газа [124].

Получить галлий высокой чистоты, годный для полупроводниковой техники, из технического металла можно только комбинацией ряда вышеописанных методов. Все операции очистки, особенно на последних ступенях, должны вестись так, чтобы воспрепятствовать попаданию примесей из применяемых реактивов, из материала посуды, а также из воздуха. Например, схема окончательной очистки галлия, описанная в [125], включает промывку металла чистой кислотой и дважды перегнанной водой, электролитическое рафинирование в растворе галлата, зонную плавку металла, образование пленки окислов с последующей фильтрацией и, наконец, длительное вакуумирование при 900° и Ю-5 мм рт. ст.

Получение вторичного галлия. В последние годы существенным источником галлия стали отходы производства его полупроводниковых соединений, в первую очередь арсенида. Их можно перерабатывать различными путями — окислением, нитрированием, гидрированием и т. п. Для отходов нелегированного арсенида галлия рекомендован вакуумтермический метод — термическая диссоциация при 1050° и 0, 01 мм рт. ст., позволяющая получить металл с содержанием мышьяка менее 10~4%. Далее его очищают вышеописанными методами, например кислотной промывкой и электролитическим рафинированием. Но наиболее универсальный способ переработки отходов, по-видимому, хлорирование. Арсенид галлия, как и другие подобные соединения, легко хлорируется при низкой температуре. Хлорид галлия отделяют от более летучего хлорида мышьяка дистилляцией, после чего очищают ректификацией [126].

Получение важнейших соединений галлия. Из всех разнообразных соединений Ga самое наибольшее практическое значение имеют полупроводниковые соединения типа AHIBV . Из них в промышленных масштабах производят арсенид, фосфид и в меньшей степени антимонид. Для получения полупроводниковых соединений в качестве исходных материалов используют галлий и другие компоненты высшей степени чистоты. Особенно тщательно очищают от тех примесей, которые с трудом удаляются при последующей кристаллофизической очистке соединений. В случае, например, арсенида галлия такими примесями являются сера и селен. Применяются также все меры для предотвращения загрязнения в процессе синтеза и очистки.

В качестве материала лодочки или тигля при синтезе и очистке соединений используют обычно кварц, нитрид алюминия, стеклоуглерод. Применение кварца в технологии галлиевых соединений нежелательно, так как приводит к загрязнению их кремнием за счет реакции

4Ga + Si02'= Si + 2Ga20 (23)

К сожалению, полностью заменить кварц другими материалами в настоящее время еще не удается.

Фосфид и арсенид галлия обладают существенным давлением диссоциации при температуре плавления. Конгруэнтное плавление этих соединений и, наоборот, кристаллизация из стехиометрических расплавов возможны только под давлением паров летучего компонента, равным давлению диссоциации. Это сильно осложняет как синтез соединений из компонентов, так и их кристаллофизическую очистку.

Для создания в сосуде, в котором происходит синтез, давления летучего компонента пользуются трехзонным или двухзонным методом (рис. 56, а). В трехзонном методе давление пара летучего компонента создают, нагревая его избыточную навеску 3, помещенную в «холодную» зону ампулы, до температуры, при которой давление пара равно давлению диссоциации синтезируемого соединения. В горячую зону печи I при температуре несколько выше температуры плавления соединения помещают лодочку / с исходным металлом. В печи // устанавливают промеж

страница 167
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226

Скачать книгу "Химия и технология редких и рассеянных элементов. Часть 1." (3.06Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
аренда боксов для хранения вещей строгино
купить вешало напольное для одежды для дома интернет магазин
systemair kv 200 l tw-96
новогодний квн елки для всей семьи 2017

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(09.12.2016)