химический каталог




Химия и технология редких и рассеянных элементов. Часть 1.

Автор Большаков К.А.

же в структурах типа шпинели и др. Получены тиогаллаты и других типов [51, 52]. С сульфидами редких земель сульфид галлия образует соединения типа LaGaS3, являющиеся производными ортотиогаллиевой кислоты. Кроме того, с сульфидами элементов ит-триевой группы образуются соединения типа Y3GaS6 [52]. Тиогаллаты отличаются гораздо большей химической стойкостью, чем сульфиды галлия.

29,8° щ :

I I I I 1 1—Ш И I I I I

Ga 70 20 SO Ц-0 50 ВО 70 80 90 Se

am. %

Рис. 44. Система галлий — селен

С е л е н и д ы. Известно только три селенида галлия (рис. 44). Обычно их получают синтезом из элементов. Селениды галлия по сравнению с сульфидами характеризуются большей химической стойкостью и меньшими температурами плавления. Ga2Se3 образует темно-серые кристаллы, но в порошке он красный. Плотность 4,92 г/см3. Для него известны три кристаллические модификации, из них а, существующая до 600°, и у, образующаяся выше 800°, имеют дефектную неупорядоченную структуру сфалерита; промежуточная (3-модификация с упорядоченной структурой кристаллизуется в тетрагональной решетке.

Второй селенид GaSe ?— темно-красный или красно-бурый, плотность 5,03 г/см3. Для него известны две полиморфные модификации: одна кристаллизуется в гексагональной слоистой решетке типа GaS, другая — в ромбоэдрической решетке. Низший селенид Ga2Se черный, плотность 5,02 г/см3; до настоящего времени исследован мало. Высший селенид галлия Ga2Se3 — родоначальник ряда селеногаллатов, аналогичных по составу тиогаллатам и обладающих подобными им свойствами.

Теллуриды. С теллуром галлий образует больше соединений, чем с селеном и серой (рис. 45), причем диаграмма состояния этой системы еще установлена не окончательно. Остается открытым вопрос о

существовании низшего тел-лурида Ga2Te. Кроме того, есть указания на существование промежуточного теллу-рида между GaTe и Ga2Te3.

Получают теллуриды,

сплавляя компоненты. Полуторный теллурид Ga2Te3

обладает областью однородности. Он образует черные

кристаллы плотностью

5,57 г/см3 с дефектной структурой типа сфалерита. Устойчив по отношению к воде, растворам кислот и щелочей, но разлагается концентрированной азотной кислотой, а также царской водкой. При нагревании на воздухе окисляется. Монотеллурид GaTe — мягкий, слоистый, жирный, от светло-серого до темно-коричневого цвета, плотность 5,44 г/см3. Кристаллизуется в моноклинной решетке. Получена его вторая, метастабильная модификация с гексагональной решеткой типа GaS. Остальные теллуриды галлия до сих пор практически не изучены. Известен ряд теллурогаллатов, аналогичных тио-и селеногаллатам, являющихся производными Ga2Te3 [52].

Все халькогениды галлия полупроводники. Из них наибольшее внимание в последние годы привлекают монохалькогениды, в частности GaSe, а также двойные селениды и теллуриды.

Галогениды. Среди галогенидов (табл. 28), как и среди халь-когенидов, представлены все возможные для галлия степени окисления. В парах трихлорид и трибромид галлия образуют, подобно анаТаблица 28

Свойства галогенидов галлия

Формула

Температура плавления, С

GaF3

GaCI3

Ga3Cl7

GaCl2

GaBr3

GaBr2

GaBr

Gal3

Gal2

Gal

>1000

78

87 (инконг.) 175 124 166 158 (разл.) 213 211 270 (разл.)950 201

595 292 462

345 469

Белый

Серо-зеленый Желтый Желто-зеленый Серо-зеленый

4,47 2,47

3,74

4,15 4,1

логичным соединениям алюминия, удвоенные молекулы; фторид полностью и иодид — большей частью в парах мономерны.

Фториды. Безводный фторид GaF3 получается фторированием при нагревании металла, окиси, сульфида и некоторых других соединений. Другой путь получения — нагревание гексафторогаллата аммония в токе аргона при 600° [53]:

(NH4) з GaF6 = GaF3 + 3NH4F (5)

Фторид галлия — белое негигроскопичное вещество, образующее игольчатые гексагональные кристаллы. Практически не растворяется в воде и в разбавленных минеральных кислотах, но легко растворяется в щелочах. При нагревании на

страница 148
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226

Скачать книгу "Химия и технология редких и рассеянных элементов. Часть 1." (3.06Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
такси сервис в москве
электропривод для воздушных заслонок gma321.1e
цены сковородки с керамическим в севастополе
аренда личного склада в москве

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(29.03.2017)