химический каталог




Химия и технология редких и рассеянных элементов. Часть 1.

Автор Большаков К.А.

кий осадок основного ацетата Ga(CH3CO0)3-3Ga(OH)3-3H2O. Взаимодействие уксусной кислоты с гидроокисью галлия приводит к получению основного ацетата другого состава 4Ga(CH3CO0)3-2Ga203-5Н20 [45]. Нормальный ацетат галлия получают, действуя, например, уксусной кислотой на фенолят галлия Ga(OPh)3. Это бесцветное мелкокристаллическое вещество, хорошо растворимое в воде и нерастворимое в спирте и эфире.

Гидроокись галлия растворяется в растворах винной, лимонной, молочной и щавелевой кислот; образуются соли, которые могут быть выделены из растворов в виде кристаллогидратов. Все они растворимы в воде, а оксалат и лактат — также и в спирте [38].

Халькогениды [46, 47]. Сульфиды. Сероводород не осаждает галлия из растворов солей, так как сульфид галлия, подобно сульфиду алюминия, тотчас же нацело гидролизуется. Однако в присутствии носителя, например цинка, олова или мышьяка, галлий может быть осажден в виде сульфида за счет комплексообразования. При действии

t,°C 1200

/0/5

Ga;S3

at/125"

'^1/020' 940° 930°

11 / \ I ' 93?"

960 е

woo

800 600\ 400 200

as

а

сульфида натрия на раствор солей галлия при рН 2—3 выпадает осадок, по-видимому, гид-роксисульфида галлия Ga(OH)S [48]. Из раствора галлата натрия сульфид натрия осаждает Na[Ga(OH)2S] [1].

23,8е

J

Ga 10 20 30 k0 50 60 70 80 90 S am. %

Рис. 43. Система галлий — сера [47]

Ga203 + 3H2S =

Сульфид галлия (III) получается непосредственным взаимодействием металла с серой при высокой температуре, а также действием сероводорода на окись галлия [47]:

Ga2S3 + ЗН20 (4)

Известны три модификации Ga2S3. Низкотемпературная а-модифи-кация белая, плотность 3,65 г/см3, кристаллизуется в дефектной кубической решетке типа сфалерита с неупорядоченным расположением вакансий. При нагревании до 550—600° она переходит в светло-желтую (3-модификацию (плотность 3,74 г/см3), кристаллизующуюся в гексагональной дефектной неупорядоченной решетке типа вюртцита. При 1020° образуется оранжево-желтая ум°ДиФика11ия, кристаллизующаяся в моноклинной решетке, подобно сульфиду алюминия. Все модификации устойчивы в сухом воздухе, но легко окисляются при нагревании. При комнатной температуре сульфид медленно разлагается водой, более быстро — кислотами; в щелочах растворяется.

Ga2S3 — малолетучее соединение. В парах диссоциирует на Ga2S и S [49]. При нагревании в вакууме частично диссоциирует, образуя низшие сульфиды. Их можно получить взаимодействием элементов или восстановлением высшего сульфида галлия. Как видно из диаграммы состояния системы галлий — сера (рис. 43), наиболее устойчив из них GaS. Это вещество ярко-желтого цвета, плотность 3,75 г/см3, устойчиво на воздухе. Вода и минеральные кислоты (кроме концентрированной азотной кислоты) на него не действуют, а в щелочах легко растворяется. При кипячении с 15%-ной уксусной кислотой разлагается, выделяя сероводород. Кристаллизуется в оригинальной гексагональной слоистой решетке, в которой наблюдается связь между атомами металла.

Низший сульфид Ga2S может быть получен также действием сероводорода на галлий при высокой температуре и пониженном давлении. Это темно-бурое или черное вещество, плотность 4,2 г/см3, мало устойчиво на воздухе. Вода и разбавленные кислоты разлагают его с выделением сероводорода. Давление пара Ga2S над расплавом соответствующего состава достигает 60 мм рт. ст. при 1200°.

Подобно окиси галлия, Ga2S3 является родоначальником целой серии производных — тиогаллатов. Тиогаллаты щелочных металлов общей формулы MeGaS2 получены сухим путем [50]. Они устойчивы на воздухе, не растворяются в воде, но растворяются в растворах сульфидов щелочных металлов, под действием кислот разлагаются. Такого же состава тиогаллаты, кристаллизующиеся в тетрагональной решетке типа халькопирита, получены для серебра и меди.

Металлы группы цинка и другие двухвалентные металлы образуют двойные сульфиды типа ZnGa2S4, кристаллизующиеся в оригинальной структуре типа тиогаллата (она характеризуется наличием группы Ga2S42-), а так

страница 147
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226

Скачать книгу "Химия и технология редких и рассеянных элементов. Часть 1." (3.06Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
вытяжной крышный вентилятор tfer
сколько стоит рихтовка крыла с покраской
детские матрасы 60х120 оскона
клапан огнезадерж окс-1(60)-рв-150*150

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(20.08.2017)