химический каталог




Химия и технология редких и рассеянных элементов. Часть 1.

Автор Большаков К.А.

ого номера, что отличает эту подгруппу от главных подгрупп I и 11 групп периодической системы.

Имея три электрона на внешней оболочке, элементы подгруппы галлия проявляют валентность 3. Из-за присутствия одного неспарен-ного электрона они могут быть и одновалентны, причем от галлия к таллию устойчивость трехвалентных соединений уменьшается, а одновалентных увеличивается. Это связано с усилением поляризующего действия трехзарядных ионов (с 18-электронными наружными оболочками) по мере увеличения их радиуса. Известны некоторые соединения этих элементов, в которых они формально двухвалентны, В действительности у таких соединений либо возникает связь между металлическими атомами (как, например, у GaS), либо они представляют собой комплексы, в состав которых входят одно- и трехзарядные ионы, например THT1C1J.

Таблица 27

Некоторые свойства галлия, индия и таллия

Показатель Галлий Индий Таллий

Порядковый номер . . .

Атомный вес 31

69,72 49

114,82 81 204,37

' о

Атомный радиус, А . . . 1,39 1,66 1,71

Ионный радиус Ме3+, А 0,62 0,92 1,05

То же, Ме+, А

Ковалентиый тетраэдри- 1,1 1,30 1,49

Плотность г/см3 .... Кристаллическая решетка 1,31 5,907 Ромбическая 1,48 7,362 Тетрагональная

гранецентрнрованная 1,54 11,849 Гексагональная

Параметры решетки, А:

Ь

Температура плавления, °С Температура кипения, °С Твердость по Бринеллю,

Потенциал ионизации, В 4,5167 4,5107 7,6448 29,79 2205

5,97 4,583

4,936 156,6 2020

0,9 5,76 3,450

5,514 303,6 1475

3

6,08

Основные физические параметры галлия, индия и таллия приведены в табл. 27. Для них в отличие от элементов главных подгрупп I и II групп и элементов побочной подгруппы III группы характерна сравнительно малая теплота образования окислов, следствием чего является легкость получения этих металлов в свободном состоянии (например, электролизом водных растворов).

Все они мягкие и очень легкоплавкие, причем от галлия к таллию температура плавления повышается, а температура кипения понижается.

С геохимической точки зрения Ga, In и Т1 — рассеянные элементы. Они проявляют более или менее халькофильный характер, накапливаясь в сульфидных минералах. Для них характерна крайняя редкость собственных минералов, представляющих лишь научный интерес.

На первых этапах технологии рассеянных элементов, когда происходит их концентрирование, иногда приходится иметь дело с очень малым содержанием элементов — порядка тысячных и десятитысячных долей процента. При такой концентрации поведение элемента может существенно отличаться от его поведения при обычных концентрациях (макроконцентрациях). Это выражается, с одной стороны, в том, что нерастворимое соединение может не осаждаться или осаждаться не полностью, так как не превзойдено его произведение растворимости. С другой стороны, за счет соосаждения и адсорбции в осадок может перейти соединение, обладающее достаточной растворимостью в данных условиях. По этим же причинам иногда не удается, например, выщелочить растворимое соединение из массы нерастворимого материала. Возможность подобных явлений модифицирования реакций в присутствии больших количеств других элементов всегда нужно иметь в виду в процессе концентрирования рассеянных элементов. На этом основан применяемый с технологии рассеянных элементов оригинальный прием осаждения с помощью носителя.

Интересно отметить, что в технологии рассеянных элементов приходится иметь дело с самым широким спектром концентраций — от самых малых в начале технологии до максимально чистого элемента в конце. Не удивительно, что для решения задачи отделения от какого-либо элемента приходится прибегать (в зависимости от концентрации) к целому ряду способов.

Из-за отсутствия собственных руд возможный объем производства рассеянных элементов обусловлен масштабом переработки руд цветных металлов, используемых для их получения. Но в настоящее время используется только небольшая доля возможного сырья. Дело в том, что, несмотря на крайнюю важность некотор

страница 141
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226

Скачать книгу "Химия и технология редких и рассеянных элементов. Часть 1." (3.06Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
детская кровать от 3 лет с бортиками 160 см
смесь для туалета биолан
купить номер перевертыш в москве
смесительный узел svu (220) 11-25 (ас 220в 3-х поз) цена

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(26.04.2017)