![]() |
|
|
Глазуриаги окружающей среды, достаточно покрыть поверхность глазури тонким слоем гидрофобного вещества, как, например, парафина или бакелитового лака. Диэлектрическая проницаемость е определяется отношением емкости конденсатора сх между обкладками которого имеется данный диэлектрик (стекло), к емкости воздушного конденсатора с той же формы. Следовательно, '——q - • Величина диэлектрической проницаемости стекла зависит от его химического состава, температуры и частоты переменного тока и изменяется от 3,75 (для кварцевого стекла) до 16,2 (для 80% свинцового стекла). По Н. П. Богородскому [16а], обычные щелочные стекла имеют е в пределах 5,3—7,5, для стекол с содержанием окислов тяжелых металлов е=»7—11,0, для кварцевого стекла s = 4,4 и для борных стекол — 3,1. Для глазурей г лежит в пределах 5,5—9,0 (верхний предел относится к свинцовым глазурям). Установлено приближенное правило, согласно которому величина s пропорциональна плотности й стекла (глазури): е = Kd, где К приблизительно равно 2,4 (от 2 до 3). Кристаллизация стекол вызывает уменьшение г, так как структура при этом становится более упорядоченной (плотной). С повышением температуры от 20 до 130° диэлектрическая проницаемость стекла увеличивается в среднем на 3—10%. Наиболее заметное возрастание г наблюдается при температурах свыше 250—300°. Ниже Тg диэлектрическая проницаемость стекла растет более .или менее равномерно, как и у силиката с типичной кристалли-.28 ческой структурой. В аномальном же участке (выше Тг) г стекла резко увеличивается, а затем при переходе в расплавленное состояние, падает. Изменение диэлектрической проницаемости стекла, кристалла и глицерина в зависимости от температуры приведено на рис. 5. С увеличением частоты тока з стекла уменьшается, причем при низких температурах влияние частоты сказывается гораздо слабее, чем при повышенных температурах. oj Вязкое Рис 5 Изменение диэлектрической проницаемости кристаллического силиката, стекла и глицерина по мере повышения температуры. Диэлектрические потери составляют часть электрической энер. гии, которая переходит в тепло в диэлектрике при переменном напряжении. Величина этих потерь характеризуется tgo , где 8 — дополнительный до 90° угол сдвига фаз тока и напряжения для данного конденсатора. В стеклах различают следующие виды диэлектрических потерь: 1) проводимости, 2) релаксационные и 3) структурные. Потери проводимости обусловлены движением ионов и определяются электропроводностью стекла. Понятно, что все условия, вызывающие изменения электропроводности, изменяют и величину этих потерь. В соответствии с этим наиболее подвижные ионы щелочных металлов (К+, Na+, Li+) вызывают наибольшие диэлектрические потери в стеклах. Глинозем также увеличивает потери, но не так резко. Окислы двувалентных металлов, обладающих двойным зарядом, заметно уменьшают потери. Особенно бла. гоприятное действие в отношении уменьшения угла диэлектрических потерь оказывают ионы тяжелых металлов (РЬ,+ и Ва2+). 29 Внутри группы одновалентных металлов установлено, что угол диэлектрических потерь уменьшается с уменьшением ионного радиуса (от калия через натрий к литию). Введение, например, в свинцовое стекло 1 % окиси лития снижает тангенс угла потерь с 0,00071 до 0,0003, причем tg о сохраняет свою величину и после увлажнения при 20°. В отношении двувалентных металлов такой закономерности не выявлено. Г. И. Сканави [40] исследовал диэлектрические потери щелоч-но-боратных стекол в температурном интервале 0—350° и показал, что потери растут по мере увеличения содержания щелочных окислов, особенно при более высоких температурах. При этом заслуживает внимания обнаруженный им так называемый «кейт-рализационный эффект», выражающийся в том, что вредное действие одного из щелочных окислов в отношении повышения диэлектрических потерь компенсируется в присутствии других щелочных окислов. Поэтому совместное присутствие Li26, Na20 и КгО является в этом отношении более благоприятным. На изменения величин диэлектрических потерь большое влияние оказывает температура. Особенно это влияние сказывается в стеклах при 150—250°. Указанные изменения находятся в прямой зависимости от частоты переменного тока. Релаксационные потери связаны с тепловым движением ионов и с разрыхлением структуры стекла. Этот вид потерь также зависит от температуры, причем величина их особенно сильно возрастает в области размягчения стекла. Структурные потери обусловлены особенностями строения стекла. Они не связаны с тепловым движением и не зависят от температуры. Потери эти для промышленных токов практически равны нулю. Диэлектрическая прочность или пробивное напряжение стекла, как и всякого диэлектрика, зависит от формы образца, от состояния его поверхности, а также формы и расположения электродов. Выражается она, обычно, в киловольтах на сантиметр (кв/ом). Влияние температуры на пробивное напряжение сказывается неодинаково: при низких (ниже комнатной) температурах пробивное напряжение мало изменяется; по мере же |
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 |
Скачать книгу "Глазури" (1.71Mb) |
[каталог] [статьи] [доска объявлений] [прайс-листы] [форум] [обратная связь] |
|
Введение в химию окружающей среды. Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей
среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги
заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в
разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности.
Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и
атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на
химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах.
Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии
университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга
читателей.
Химия и технология редких и рассеянных элементов. Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов
химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии
лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во
второй
части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана,
лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В
третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия,
тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание
уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В
технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика
рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов
производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие
составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по
1972 год включительно.
|
|