химический каталог




Расчеты аппаратов кипящего слоя

Автор А.П.Баскаков, И.П.Мухленов, Б.С.Сажин, В.Ф.Фролов и др.

ми границами слоя; 6Р — перепад давлений на участке слоя в интервале высот h, h-\- б/i.

Определив / и установив экспериментально частоты флуктуации плотности слоя (частоты появления пузырей) v(h), оцениваем величины потока газа в фазе пузырей (или в плотной фазе):

ш,(А) = f(h)[\-f(hCT)Wv(hCT) «»i(Act) /(Аст)[1 -f (A)lVv(A)

Величина hCT — расстояние до газораспределителя, на котором w\ достигает максимального значения, обычно wx « w. Значение Лет может быть найдено экспериментами на двумерных слоях, например с помощью киносъемки, или оценивается косвенно. Так, признаком стабилизации картины движения пузырей является постоянство величины v при дальнейшем увеличении высоты слоя.

Для материалов группы A: W2/W <С 1 при h < 0,2 ~- 0,4 м. Это позволяет по средним величинам f и локальным частотам флуктуации плотности слоя v(h) оценить зависимость

f щ = ^wv М

V^v (А) + А

Константу А в этом выражении находим, используя соотношение v

и

f~.-?^±=jr\f(h) dh

с

Для нахождения осредненного диаметра пузыря по экспериментально измеренным частотам флуктуации плотности слоя используется приближенная формула: dn « cw\/v, где с = 1,27 и 1,5 для двумерного и трехмерного слоев, соответственно.

Параметры фазы пузырей, найденные в условиях «холодных» аналогов аппаратов КС, могут измениться в условиях реального процесса. Установлено, что при повышении давления, температуры, вязкости газа увеличивается высота зоны формирования пузырей, уменьшаются размеры пузырей. Положительное влияние давления проявляется главным образом для материалов группы А, содержащих пылевидные фракции [50].

1.6.3. Математическое описание полей концентраций трассеров и продуктов модельных реакций. Величины коэффициентов переноса находят решением обратных задач, сравнивая поля концентраций реагентов или трассеров, рассчитанные согласно модели, с экспериментальными. Установленные величины зависят от конкретных допущений о структуре модели движения газа. Для того чтобы использовать данные, представленные в этой главе или в любом другом источнике, нужно знать, каким способом их нашли, какую «узкую» модель использовали.

Широкое применение нашли два «классических» способа экспериментов с трассерами: регистрация кривых отклика на концентрационные возмущения на входе в слой и регистрация кривых обратного перемешивания при стационарном вводе меченого газа в верхние сечения слоя. В силу неоднородности КС концентрации трассера следует измерять как в разреженной, так и в плотной фазах. Это осуществляют сочетанием измерений мгновенных концентраций метки и мгновенных плотностей слоя [51].

Локальные кривые вымывания трассера в рамках «широкой» модели, представленной на рис. 1.21, опишутся системой:

дС, _ , . д Г I дС, _ 1

дС2 , дСх д Г 1 дС2 . 1 дСх г 1У sn 1 6 = 0 Cj = С2 = 1; 5 = 0 С[ = PeL (1 — to) С{, С'2 =» Ре2 соС2

? = 1 С2=с;=о

Здесь в = т/т; t = h\H\ Ре2 = wHJD2; Ре, = wH/D,; nK=($H/w) (1 - f); со =. = w2/w, q)2 - I] (1-fl/fo + (1-П) h 3*

67

Т) — доля свободного объема плотной фазы (включая объем пор) от общего объема слоя; Ci и Сг — концентрации метки в плотной и разреженной фазах, выраженные в виде отношений С/Со, где Со — начальное значение концентрации.

Pe2 d$ • Pe, dl (l_(0)_ = %(m2_mi)+ _^__j + (mi_.m2)_+(pi

В терминах нулевых моментов локальных кривых вымывания (отношений локальных средних возрастов к средним временам пребывания) система уравнений баланса по трассеру имеет вид:

1 dm2 . 1 dmx ...

+ d7 7Г = ®т2 + (I — о>) АП! — 1р (D

? = 0 m\ — (I — со) Pe} mx; ni2 — со Pe2m2 ? = 1 com2 + (1 — со) mi = 1

~r. TI '

= F

Ti + (l-ri)f r| + (1 — n) f

Кривые обратного перемешивания описываются системой:

+ тт^—rrL = C0C2+(l-C0)C1

Ре2 dl ' Ре, dl

п dC in r\JLir r^d(й i d ( 1 ёСЛ (L62)

? = 0 C; = [l -co(0)] Pej Cp C2 = co(0) Pe2C2 ? = ?* C, = C2 = 1

Последнее граничное условие предусматривает распределение трассера в месте ввода пропорционально величинам потока газа в фазах, что возможно при наличии устройства, интенсифицирующего межфазный обмен.

Установленные экспериментально или расчетным путем профили локальных средних возрастов т\{^) и тг(^), кривые обратного перемешивания C\(t) и С2(?) будем далее называть т- и С-кривыми.

Если в слое протекает простейшая модельная реакция типа А-^-В, то профили концентраций реагента А описываются системой:

Ре, rfЈ . Ре2 dt, . rfC, со dC2

i -tz (1 — со)

^ 1 dCx ^ 1 dC2

dl ' dl v* dl dl t**Cni - kxKCn2 = 0

. 1 rfC,

Pe« ^ _(1_(D)^L+(cI-Cf)^ +

+ Р*к,(с2-с1)-*т1С,сг-о

1 dC

= (1 - co) (Сi - Co)

1 dCx

Pe, dl

+

1 dC2

Pe2 rfЈ

Здесь ? = /г/Я; ю = w^oj; Ре = wH/Dr; f,

в» Po '

H — полная высота слоя; h — текущая высота; wf — скорость газа в плотной фазе; DT — коэффициент эффективной диффузии газа; / — отношение площади

страница 27
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150

Скачать книгу "Расчеты аппаратов кипящего слоя" (4.83Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
нанесение номеров на футбольную форму
Прикроватная тумба с одним ящиком и полкой Kitai ST9310
напрокат проектор с экраном для дома
кресло t 898

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(05.12.2016)