химический каталог




Физика полимеров

Автор Г.М.Бартенев, С.Я.Френкель

амене .координат к графикам (см. гл. XVI) со скачкообразным переРис. III. 14. Топограмма сосуществования* КВЦ к КСЦ, выращенных при разных р а предположении, что р регулировалось предварительным воздействием иа расплав:

/ — область чистых КСЦ; //—область чистых КВЦ; I + — область сосуществования обеих форм; /// — область /// соответствует"

равновесному росту КВЦ Хал — температура плавления КСЦ, выращенных из расплава, не подвергавшегося никакому воздействию; это никоим образом не означает, что отсчет р" ведется от О

ходом от термодинамической** ветви к нетермодинамической.

Выше мы подчеркивали, что бифуркация и скачкообразное изменение микро- и макроскопических свойств происходит по достижении р критического значения по любой причине. В целом это верно, но конкретный вид (или кривизна термодинамической (а) и нетермодинамической (Ь) ветви) могут для одной и той же характеристики несколько различаться. Топограмма на рис. III. 14 соответствует изменениям Тпл из-за растяжения расплава перед, кристаллизацией. В этом случае растяжение сначала промоти-рует рост КСЦ, а затем начинает вносить в него помехи (к этому курьезному эффекту мы вернемся в гл. XIV), кристаллы получаются с более короткими складками и более дефектные, и после прохождения через небольшой максимум их Тпл начинает монотонно убывать с р или степенью предварительной вытяжки расплава.

Как мы увидим в гл. XVI, в собственно ориентационную кристаллизацию вовлекается относительно небольшое число цепей— от 10 до 20%, и они образуют сплошной пространственный каркас КВЦ. Напряжение [или дополнительная энергия,, расходуемая на создание продольного градиента скорости у, который непосредственно «повинен» (см. гл. IV) в переходе струя — волокно] локально сбрасывается вблизи образующегося каркаса, падает и градиент у и поэтому рядом с каркасом могут образоваться как бы нанизанные на него КСЦ, и возникнет так называемая структура типа «шиш — кебаб» («шашлыкоподоб-ная» —как переводит этот термин Андрианова [61]) с довольно* совершенными КВЦ, но сильно дефектными КСЦ, что и видно на топограмме. Впрочем, топограмма «понимает» и другие вещи. Как мы недавно убедились, коротким цепям (с высокими р) труднее образовать КСЦ, чем длинным. Поэтому, если большие-Р связаны с малыми М, то Гпл КСЦ тоже должна убывать, так

что по крайней мере нисходящая часть кривой а на топограмме отражает и это обстоятельство.

Область /// между кривыми а и Ь слева от J3* соответствует области равновесного роста КВЦ, где решающую роль играет отбор зародышей, тогда как небольшое растяжение до точки бифуркации лишь ускоряет его, но не меняет характер процесса в целом. Это опять показывает, что при р* происходит переход поведения и квазистатический рост КВЦ сменяется ориента-ционной кристаллизацией.

Во избежание недоразумений еще раз подчеркнем, что (3 на топограмме непосредственно связывается с предварительным растяжением расплава только при ориентационной кристаллизации (гл. XVI). В целом же топограмма характеризует тип кристаллизации, зависящий не от внешних, а от молекулярных факторов — степени развернутости цепей по любым причинам — из-за М, жесткости, кинетического отбора и т. п.

Соответственно, область /// на топограмме имеет в некотором смысле мнимый характер: там может происходить рост равновесных КВЦ путем отбора зародышей, но их температура плавления была бы сильно сдвинута вправо — вверх по кривой Ь. «Пустота» области /// в предположении, что |3 задается внешними причинами (давлением или растяжением) означает, что динамический рост КВЦ в этой области отсутствует.

Остановимся еще на двух существенных следствиях проведенного рассмотрения.

В силу правила отбора кристаллы, выращенные при более высоких Гкр, обладают и более высокими ТПл, так как безотносительно к наличию и числу складок (рис. III. II) у них / выше, чем у выращенных при более низких Гкр,

при отжиге, т. е. при выдерживании образца, закристаллизованного при некоторой температуре Т\, при более высокой температу

страница 58
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224

Скачать книгу "Физика полимеров" (3.14Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
моноколесо москва
http://dveripandora.ru/catalog/mezhkomnatnye-dveri/krasnoderevshchik/seriya-900-shpon/900/
ручные складские подъемники
сетка кладочная екатеринбург

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(22.06.2017)