химический каталог




Физика полимеров

Автор Г.М.Бартенев, С.Я.Френкель

т или свободных концов цепей). Поэтому остаточные диполь-дипольные взаимодействия в ковалентно сшитых сетках, набухших в растворителе, значительно больше, чем в растворах одинаковой концентрации. Отсутствие в ковалентных сетках дополнительного механизма усреднения остаточных ядерных взаимодействий приводит к появлению плато на зависимости Т% от Т в области высоких температур [198]. Величина Г2 в области плато резко уменьшается при увеличении концентрации сшивающего агента (рис. XI. 12).

XI. 2. ЭЛЕКТРОННЫЙ ПАРАМАГНИТНЫЙ РЕЗОНАНС. МЕТОД СПИНОВЫХ ЗОНДА И МЕТКИ

XI. 2.1. Зеемановское взаимодействие

Электронный парамагнитный резонанс (ЭПР) [199—203] обусловлен индуцированными переходами между зеемановски-ми уровнями энергии парамагнитной частицы (электрона, атома или молекулы), находящейся во внешнем постоянном магнитном поле. Атом или молекула, несущие неспаренный электрон, имеют магнитный момент ц. в том случае, если отличен от нуля их угловой момент /, который складывается из собственного углового момента электрона (спина) S и орбиталь-> -> ->

ного углового момента электрона L; \i — — где ре — магнетон Бора, равный 0,92712-Ю-27 Дж/Гс, a g — фактор спектроскопического расщепления:

g = 1 + [/ (/ + 1) + S (S + I) - L (L + 1)]/2/ (/ + 1). Энергия зеемановского взаимодействия

Е = - pttf 0 = g$sHQT= g$eHaJZi где 1Ъ = m — проекция углового момента на направление поля; mj—маг-? нятное квантовое число, которое может изменяться от —/ до /; переходы -происходят между соседними уровнями в соответствия с правилом отбора hrti] = rtl с излучением или поглощением кванта энергии Н(о — g$eHo.

Для Н0 порядка 3,6-103 Гс резонансные частоты лежат в СВЧ диапазоне 10 ГГц (длина волны 3 см). Вклад орбитального углового момента в результирующий момент / существенен только для изолированных атомов. Если атом, имеющий иеспаренный электрон, участвует в образовании химических: связей, то из-за электростатического взаимодействия электрона с электронными оболочками других атомов происходит замораживание орбитального углового момента электрона, и результи?-> ->?

рующий момент / оказывается равным спину электрона S-В этом случае g = 2,00232, т. е. /-фактору свободного электрона.

Наложение магнитного поля приводит к появлению небольшого вклада орбитального момента электрона, зависящего or

ориентации магнитного поля. Однако отклонения величин giфактора от чисто спинового значения невелики па

крайней мере для большинства исследованных органических свободных радикалов, но они зависят от ориентации магнитного поля относительно молекулярных осей, т. е. -фактор теперь, уже не скалярная величина, а тензор второго ранга с диагональными элементами, задаваемыми соотношением

g/ = (4P'2 + 4X + •»')'*.>

где I, т, п — направляющие косинусы Но в молекулярной системе координат" р, q, г, в которой g-тензор имеет диагонализованный вид.

XI. 2.2. Сверхтонкое взаимодействие

Кроме взаимодействия с магнитным полем, неспаренные-электроны близких атомов или свободных радикалов взаимодействуют как между собой (диполь-дипольные и обменные взаимодействия), так и с парамагнитными ядрами, входящими', в состав того же атома или молекулы (диполь-дипольное и контактное взаимодействие). Электронно-ядерные взаимодействия обусловливают наличие сверхтонкого расщепления в спектрах ЭПР. Гамильтониан сверхтонкого взаимодействия (СТВ) может быть записан как:

•>->

Яст. в ~ 1SA,> ->

где / и S - спиновые векторы ядра и электрона; А — тензор анизотропного-СТВ с компонентами, равными

At i = K j +б(- taN,

где

константа изотропного контактного взаимодействия;

тензор анизотропного диполь-дипольного СТВ ядра и электрона.

Здесь gN и $н — фактор спектроскопического расщепления для ядра и-ядерный магнетон; г — расстояние от электрона до ядра; г,- и г,- могут при279>

нимать значения х, у, z проекций радиус-вектора на оси ЛСК; фигурная -скобка означает усреднение по электронному распределению, характеризуемому квадратом модуля волновой функции i ф(г) |2; в

страница 141
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224

Скачать книгу "Физика полимеров" (3.14Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
аренда проектора и экрана
Компания Ренессанс: лестницы метал - продажа, доставка, монтаж.
стул изо дешево
склады для хранения вещей в свао

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(10.12.2016)